Datasheet 2N2906, 2N2907, 2N2906A, 2N2907A (Central Semiconductor) - 2
| Производитель | Central Semiconductor |
| Описание | PNP SILICON TRANSISTOR |
| Страниц / Страница | 4 / 2 — 2N2906 2N2906A 2N2907 2N2907A. PNP SILICON TRANSISTOR. ELECTRICAL … |
| Формат / Размер файла | PDF / 687 Кб |
| Язык документа | английский |
2N2906 2N2906A 2N2907 2N2907A. PNP SILICON TRANSISTOR. ELECTRICAL CHARACTERISTICS - Continued:. 2N2906. 2N2907. 2N2906A. 2N2907A
86 предложений от 36 поставщиков Транзисторы (упаковка 10 шт) 2N2907 (PNP, 0.6А, 60В) MCIGICMХарактеристики транзистора 2N2907: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc)... |
| 2N2907A (STN2907)
| от 3.80 ₽ | |
| 2N2907
| по запросу | |
| 2N2907A*
Central Semiconductor | по запросу | |
| 2N2907A
STMicroelectronics | по запросу | |
Модельный ряд для этого даташита
Текстовая версия документа
2N2906 2N2906A 2N2907 2N2907A PNP SILICON TRANSISTOR ELECTRICAL CHARACTERISTICS - Continued:
(TA=25°C)
2N2906 2N2907 2N2906A 2N2907A SYMBOL TEST CONDITIONS MIN MAX MIN MAX
hFE VCE=10V, IC=0.1mA (2N2906, 2N2907) 20 - 35 - hFE VCE=10V, IC=0.1mA (2N2906A, 2N2907A) 40 - 75 - hFE VCE=10V, IC=1.0mA (2N2906, 2N2907) 25 - 50 - hFE VCE=10V, IC=1.0mA (2N2906A, 2N2907A) 40 - 100 - hFE VCE=10V, IC=10mA (2N2906, 2N2907) 35 - 75 - hFE VCE=10V, IC=10mA (2N2906A, 2N2907A) 40 - 100 - hFE VCE=10V, IC=150mA 40 120 100 300 hFE VCE=10V, IC=500mA (2N2906, 2N2907) 20 - 30 - hFE VCE=10V, IC=500mA (2N2906A, 2N2907A) 40 - 50 -
TO-18 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE:
1) Emitter 2) Base 3) Collector
MARKING: FULL PART NUMBER
R4 (30-January 2012)
w w w. c e n t r a l s e m i . c o m
Купить 2N2907 на РадиоЛоцман.Цены — от 1.18 до 234 ₽
