Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet ZVN2106A (Diodes) - 3

ПроизводительDiodes
ОписаниеN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
Страниц / Страница3 / 3 — ZVN2106A. TYPICAL CHARACTERISTICS. Transconductance v gate-source …
Формат / Размер файлаPDF / 51 Кб
Язык документаанглийский

ZVN2106A. TYPICAL CHARACTERISTICS. Transconductance v gate-source voltage. Capacitance v drain-source voltage

ZVN2106A TYPICAL CHARACTERISTICS Transconductance v gate-source voltage Capacitance v drain-source voltage

28 предложений от 13 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,45А; 0,7Вт; TO92
ChipWorker
Весь мир
ZVN2106ASTZ
Diodes
14 ₽
AiPCBA
Весь мир
ZVN2106ASTZ
Diodes
42 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
ZVN2106ASTZ
Zetex
по запросу
Augswan
Весь мир
ZVN2106ASTZ
Diodes
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

ZVN2106A TYPICAL CHARACTERISTICS
0.7 100 0.6 80 0.5 pF) ( 0.4 V 60 DS=10V nce Ciss 0.3 ita c 40 pa 0.2 Ca 20 Coss ransconductance (S) 0.1 C- -T Crss sf g 0 0 10 20 30 40 50 0 2 4 6 8 10 VGS-Gate Source Voltage (Volts) VDS-Drain Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage Capacitance v drain-source voltage
VDD= 20V 30V 50V 16 olts) 14 ID=3A V ( 12 ge tal 10 o 8 ce V 6 ur So 4 te 2 Ga- GS 0 V 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 Q-Charge (nC)
Gate charge v gate-source voltage
3-363
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка