Datasheet ZVN2106A (Diodes) - 3

Производитель	Diodes
Описание	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
Страниц / Страница	3 / 3 — ZVN2106A. TYPICAL CHARACTERISTICS. Transconductance v gate-source …
Формат / Размер файла	PDF / 51 Кб
Язык документа	английский

ZVN2106A. TYPICAL CHARACTERISTICS. Transconductance v gate-source voltage. Capacitance v drain-source voltage

1 2

Купить ZVN2106ASTZ на РадиоЛоцман.Цены — от 6.01 до 76 ₽ 28 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,45А; 0,7Вт; TO92
ChipWorker Весь мир	ZVN2106ASTZ Diodes	14 ₽
AiPCBA Весь мир	ZVN2106ASTZ Diodes	42 ₽
ТМ Электроникс Россия	ZVN2106ASTZ Diodes	от 76 ₽
МосЧип Россия	ZVN2106ASTZ Diodes	по запросу

Модельный ряд для этого даташита

ZVN2106A

ZVN2106A ZVN2106ASTZ

Текстовая версия документа

ZVN2106A TYPICAL CHARACTERISTICS
0.7 100 0.6 80 0.5 pF) ( 0.4 V 60 DS=10V nce Ciss 0.3 ita c 40 pa 0.2 Ca 20 Coss ransconductance (S) 0.1 C- -T Crss sf g 0 0 10 20 30 40 50 0 2 4 6 8 10 VGS-Gate Source Voltage (Volts) VDS-Drain Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage Capacitance v drain-source voltage
VDD= 20V 30V 50V 16 olts) 14 ID=3A V ( 12 ge tal 10 o 8 ce V 6 ur So 4 te 2 Ga- GS 0 V 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 Q-Charge (nC)
Gate charge v gate-source voltage
3-363

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring