Поставки продукции Megawin по официальным каналам - микроконтроллеры, мосты USB-UART

Datasheet ZVP2106A (Diodes) - 3

ПроизводительDiodes
ОписаниеP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET
Страниц / Страница3 / 3 — ZVP2106A. TYPICAL CHARACTERISTICS. Transconductance v drain current. …
Формат / Размер файлаPDF / 55 Кб
Язык документаанглийский

ZVP2106A. TYPICAL CHARACTERISTICS. Transconductance v drain current. Transconductance v gate-source voltage

ZVP2106A TYPICAL CHARACTERISTICS Transconductance v drain current Transconductance v gate-source voltage

40 предложений от 17 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
ЧипСити
Россия
ZVP2106ASTZ
Diodes
43 ₽
Зенер
Россия и страны ТС
ZVP2106ASTZ
Diodes
от 62 ₽
ZVP2106ASTZ
Diodes
по запросу
727GS
Весь мир
ZVP2106ASTZ
Diodes
по запросу
AC-DC источники питания Mean Well на DIN рейку

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

ZVP2106A TYPICAL CHARACTERISTICS
300 300 250 250 VDS=-10V VDS=-10V nce (mS) 200 200 atc 150 150 ductance (mS) ndu n o 100 o c 100 sc n ra 50 rans 50 T- -T fs s g f 0 g 0 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6 -1.8 -2.0 0 -2 -4 -6 -8 -10 ID- Drain Current (Amps) VGS-Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v drain current Transconductance v gate-source voltage
) 0 lts 100 o -2 V ( e -4 VDS= 80 -20V -30V -50V oltag -6 60 -8 Ciss ce Vr -10 40 Sou -12 20 Coss Gate -14 C-Capacitance (pF) - Crss S 0 G -16 V 0 0 -10 -20 -30 -40 -50 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 VDS-Drain Source Voltage (Volts) Q-Charge (nC)
Capacitance v drain-source voltage Gate charge v gate-source voltage
3-419
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка