Datasheet ZVP2106A (Diodes) - 3
Производитель | Diodes |
Описание | P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
Страниц / Страница | 3 / 3 — ZVP2106A. TYPICAL CHARACTERISTICS. Transconductance v drain current. … |
Формат / Размер файла | PDF / 55 Кб |
Язык документа | английский |
ZVP2106A. TYPICAL CHARACTERISTICS. Transconductance v drain current. Transconductance v gate-source voltage

27 предложений от 14 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET P-CH 60V 0.28A Automotive 3Pin E-Line T/R |
| ZVP2106ASTZ Diodes | от 32 ₽ | |
| ZVP2106ASTZ Diodes | от 71 ₽ | |
| ZVP2106ASTZ Diodes | от 120 ₽ | |
| ZVP2106ASTZ Diodes | по запросу | |
Модельный ряд для этого даташита
Текстовая версия документа
ZVP2106A TYPICAL CHARACTERISTICS
300 300 250 250 VDS=-10V VDS=-10V nce (mS) 200 200 atc 150 150 ductance (mS) ndu n o 100 o c 100 sc n ra 50 rans 50 T- -T fs s g f 0 g 0 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0 -1.2 -1.4 -1.6 -1.8 -2.0 0 -2 -4 -6 -8 -10 ID- Drain Current (Amps) VGS-Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v drain current Transconductance v gate-source voltage
) 0 lts 100 o -2 V ( e -4 VDS= 80 -20V -30V -50V oltag -6 60 -8 Ciss ce Vr -10 40 Sou -12 20 Coss Gate -14 C-Capacitance (pF) - Crss S 0 G -16 V 0 0 -10 -20 -30 -40 -50 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 VDS-Drain Source Voltage (Volts) Q-Charge (nC)
Capacitance v drain-source voltage Gate charge v gate-source voltage
3-419