Клеммы, реле, разъемы Degson со склада в России

Datasheet BUZ71 (STMicroelectronics) - 3

ПроизводительSTMicroelectronics
ОписаниеN - CHANNEL 50V - 0.085Ω - 17A TO-220 STripFET POWER MOSFET
Страниц / Страница8 / 3 — BUZ71. ELECTRICAL CHARACTERISTICS. Symbo l. Parameter. Test Con ditions. …
Формат / Размер файлаPDF / 89 Кб
Язык документаанглийский

BUZ71. ELECTRICAL CHARACTERISTICS. Symbo l. Parameter. Test Con ditions. Min. Typ. Max. Unit

BUZ71 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Symbo l Parameter Test Con ditions Min Typ Max Unit

27 предложений от 22 поставщиков
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 50V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
BUZ71 (ST-STP16NF06)
STMicroelectronics
8.84 ₽
PL-1
Россия
BUZ71 (A)
от 40 ₽
TradeElectronics
Россия
BUZ71L
STMicroelectronics
по запросу
МосЧип
Россия
BUZ71M
STMicroelectronics
по запросу

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

BUZ71 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued) SOURCE DRAIN DIODE
Symbo l Parameter Test Con ditions Min. Typ. Max. Unit
ISD Source-drain Current 17 A ISDM Source-drain Current 68 A (pulsed) VSD (∗) Forward On Voltage ISD = 28 A VGS = 0 1. 8 V trr Reverse Recovery ISD = 14 A di/dt = 100 A/µs 65 ns Time VDD = 30 V Tj = 150 oC Qrr Reverse Recovery 0.17 µC Charge (∗) Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 % Safe Operating Area Thermal Impedance 3/8
Электронные компоненты. Скидки 15%, кэшбэк 15% и бесплатная доставка от ТМ Электроникс