Datasheet BUZ71 (STMicroelectronics) - 3
Производитель | STMicroelectronics |
Описание | N - CHANNEL 50V - 0.085Ω - 17A TO-220 STripFET POWER MOSFET |
Страниц / Страница | 8 / 3 — BUZ71. ELECTRICAL CHARACTERISTICS. Symbo l. Parameter. Test Con ditions. … |
Формат / Размер файла | PDF / 89 Кб |
Язык документа | английский |
BUZ71. ELECTRICAL CHARACTERISTICS. Symbo l. Parameter. Test Con ditions. Min. Typ. Max. Unit

28 предложений от 22 поставщиков Труба MOS, N - CHANNEL 50V - 0.1W(1/10W) - 13A TO-220 STripFET] POWER MOSFET |
| BUZ71A STMicroelectronics | 80 ₽ | |
| BUZ71A
| от 461 ₽ | |
| BUZ71A STMicroelectronics | по запросу | |
| BUZ71A-SGS STMicroelectronics | по запросу | |
Модельный ряд для этого даташита
Текстовая версия документа
BUZ71 ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued) SOURCE DRAIN DIODE
Symbo l Parameter Test Con ditions Min. Typ. Max. Unit
ISD Source-drain Current 17 A ISDM Source-drain Current 68 A (pulsed) VSD (∗) Forward On Voltage ISD = 28 A VGS = 0 1. 8 V trr Reverse Recovery ISD = 14 A di/dt = 100 A/µs 65 ns Time VDD = 30 V Tj = 150 oC Qrr Reverse Recovery 0.17 µC Charge (∗) Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 % Safe Operating Area Thermal Impedance 3/8