Datasheet BUZ 171 (STMicroelectronics) - 2
| Производитель | STMicroelectronics |
| Описание | SIPMOS Power Transistor |
| Страниц / Страница | 9 / 2 — BUZ 171. Electrical Characteristics,. Parameter. Symbol. Values. Unit. … |
| Формат / Размер файла | PDF / 195 Кб |
| Язык документа | английский |
BUZ 171. Electrical Characteristics,. Parameter. Symbol. Values. Unit. min. typ. max. Static Characteristics
10 предложений от 10 поставщиков SIPMOS Power Transistor (P channel Enhancement mode Avalanche rated) |
| BUZ171
| 138 ₽ | |
| BUZ171
Silicon Labs | по запросу | |
| BUZ171
Silicon Labs | по запросу | |
| BUZ171T
Siemens | по запросу | |
Модельный ряд для этого даташита
Текстовая версия документа
BUZ 171 Electrical Characteristics,
at Tj = 25°C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. Static Characteristics
Drain- source breakdown voltage V(BR)DSS V VGS = 0 V, ID = -0.25 mA, Tj = 25 °C -50 - - Gate threshold voltage VGS(th) VGS=VDS, ID = 1 mA -2.1 -3 -4 Zero gate voltage drain current IDSS µA VDS = -50 V, VGS = 0 V, Tj = 25 °C - -0.1 -1 VDS = -50 V, VGS = 0 V, Tj = 125 °C - -10 -100 Gate-source leakage current IGSS nA VGS = -20 V, VDS = 0 V - -10 -100 Drain-Source on-resistance RDS(on) Ω VGS = -10 V, ID = -5 A - 0.25 0.3 Semiconductor Group 2 07/96
