Datasheet BUZ 171 (STMicroelectronics) - 4
| Производитель | STMicroelectronics |
| Описание | SIPMOS Power Transistor |
| Страниц / Страница | 9 / 4 — BUZ 171. Electrical Characteristics,. Parameter. Symbol. Values. Unit. … |
| Формат / Размер файла | PDF / 195 Кб |
| Язык документа | английский |
BUZ 171. Electrical Characteristics,. Parameter. Symbol. Values. Unit. min. typ. max. Reverse Diode
10 предложений от 10 поставщиков SIPMOS Power Transistor (P channel Enhancement mode Avalanche rated) |
| BUZ171
Siemens | по запросу | |
| BUZ171
| по запросу | |
| BUZ171S2
Siemens | по запросу | |
| BUZ171E-3045
Siemens | по запросу | |
Модельный ряд для этого даташита
Текстовая версия документа
BUZ 171 Electrical Characteristics,
at Tj = 25°C, unless otherwise specified
Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. Reverse Diode
Inverse diode continuous forward current IS A TC = 25 °C - - -8 Inverse diode direct current,pulsed ISM TC = 25 °C - - -32 Inverse diode forward voltage VSD V VGS = 0 V, IF = -16 A - -1.25 -1.7 Reverse recovery time trr ns VR = -30 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs - 90 - Reverse recovery charge Qrr µC VR = -30 V, IF=lS, diF/dt = 100 A/µs - 0.23 - Semiconductor Group 4 07/96
