Оптопары и оптореле Megawin

Datasheet 2N5088, 2N5089, MMBT5088, MMBT5089 (ON Semiconductor) - 7

ПроизводительON Semiconductor
ОписаниеNPN General Purpose Amplifier
Страниц / Страница9 / 7 — (continued) Typical Common Emitter Characteristics h fe 1.3. h ie. h oe …
Версия4
Формат / Размер файлаPDF / 215 Кб
Язык документаанглийский

(continued) Typical Common Emitter Characteristics h fe 1.3. h ie. h oe 1.2 h re 1.1 h oe. h re 1 h ie. 0.9. 0.8 I C = 1.0mA

(continued) Typical Common Emitter Characteristics h fe 1.3 h ie h oe 1.2 h re 1.1 h oe h re 1 h ie 0.9 0.8 I C = 1.0mA

13 предложений от 13 поставщиков
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 50 mA 50MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
2N5088G, Транзистор NPN 30В 0.05А, [TO-92]
Cosmo
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
2N5088G
ON Semiconductor
по запросу
Augswan
Весь мир
2N5088G
ON Semiconductor
по запросу
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
2N5088G
ON Semiconductor
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 1. Преобразователи последовательного приближения

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

(continued) Typical Common Emitter Characteristics h fe 1.3
h ie
h oe 1.2 h re 1.1 h oe
h re 1 h ie
0.9
0.8 I C = 1.0mA
f = 1.0kHz
T A = 25°C h fe 0 5
10
15
20
V CE -COLLECTOR VOLTAGE (V) 25 Typical Common Emitter Characteristics CHARACTE RI STICS RE LATIV E TO VA LUE (TA =25°C) 1.4 1.5
1.4
1.3
1.2 h ie VCE = 5.0V
f = 1.0kHz
I C = 1.0mA h re
h fe
h oe 1.1
1
0.9
0.8 h oe 0.7 h fe 0.6 h re 0.5
-100 h ie -50
0
50
100
T J -JUNCTIO N TEMP ERATURE (° C) Typical Common Emitter Characteristics
CHARACTERISTICS RELATIVE TO VALUE(I C =1mA) CHAR ACTER ISTI CS RELATI VE TO VALUE(VCE =5V) Typical Common Emitter Characteristics (f = 1.0 kHz) 150 2N5088 / MMBT5088 / 2N5089 / MMBT5089 NPN General Purpose Amplifier 100
f = 1.0kHz h oe 10
h ie and h re h re 3 1 h oe
h fe
h ie 0.1 0.01
0.1 0.2 h fe 0.5 1
2
5
10 20
I C -COLLECTOR CURRENT (mA) 50 100
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка