Datasheet 2N5031 (Microsemi) - 2
| Производитель | Microsemi |
| Описание | RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS |
| Страниц / Страница | 4 / 2 — 2N5031. Symbol. Test Conditions. Value. Min. Typ. Max. Unit. MSC1303.PDF … |
| Формат / Размер файла | PDF / 92 Кб |
| Язык документа | английский |
2N5031. Symbol. Test Conditions. Value. Min. Typ. Max. Unit. MSC1303.PDF 10-25-99
21 предложений от 14 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans RF BJT NPN 10V 0.02A 4Pin TO-72 |
| 2N5031
Microsemi | 498 ₽ | |
| 2N5031DIE
| по запросу | |
| 2N5031
Microsemi | по запросу | |
| 2N5031
Microsemi | по запросу | |
Модельный ряд для этого даташита
Текстовая версия документа
2N5031
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (Tcase = 25°C) STATIC (off)
Symbol Test Conditions Value Min. Typ. Max. Unit
BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage (IC = 1.0 mAdc, IB = 0) 10 - - Vdc BVCBO Collector-Base Breakdown Voltage (IC= 0.01 mAdc, IE=0) 15 - - Vdc BVEBO Emitter-Base Breakdown Voltage (IE = 0.01mAdc, IC = 0) 3.0 - - Vdc ICBO Collector Cutoff Current (VCE = 6.0 Vdc, IE = 0 Vdc) - 1.0 10 nA (on) HFE DC Current Gain (IC = 1.0 mAdc, VCE = 6.0 Vdc) 25 - 300
-
DYNAMIC
Symbol Test Conditions Value Min. Typ. Max. Unit
fT Current-Gain - Bandwidth Product (IC = 5.0 mAdc, VCE = 6 Vdc, f = 100 MHz) 1200 - 2500 MHz CCB Output Capacitance (IC = 1.0 mAdc, VCE = 6 Vdc, f = 450 MHz)
-
2.5 - dB
MSC1303.PDF 10-25-99
Купить 2N5031 на РадиоЛоцман.Цены — от 498 до 1 755 ₽
