Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet IRL3103PbF (International Rectifier) - 3

ПроизводительInternational Rectifier
ОписаниеHEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница10 / 3 — Fig 1. Fig 2. Fig 3. Fig 4
Формат / Размер файлаPDF / 198 Кб
Язык документаанглийский

Fig 1. Fig 2. Fig 3. Fig 4

Fig 1 Fig 2 Fig 3 Fig 4

33 предложений от 19 поставщиков
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 56А 83Вт, 0.014 Ом
ЧипСити
Россия
IRL3103PBF
Infineon
45 ₽
Maybo
Весь мир
IRL3103PBF
Infineon
192 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IRL3103PBF
по запросу
IRL3103PBF
Jamicon
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRL3103PbF 1000 1000 VGS VGS TOP 15V TOP 15V 10V ) 10V 4.5V 4.5V 3.7V 3.7V 3.5V 3.5V 3.3V 3.3V 3.0V 3.0V BOTTOM 2.7V urrent (A BOTTOM 2.7V 100 100 ource C 2.7V 10 rain-to-S 10 2.7V I , D D I , Drain-to-Source Current (A) D 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH T = J 25 C ° T = 175 J °C 1 1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 V , Drain-to-Source Voltage (V) DS V , Drain-to-Source Voltage (V) DS
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics 1000 2.5 ID = 56A ) T = 25 C J ° 2.0 urrent (A 100 T = 175 C J ° 1.5 ource C 1.0 (Normalized) 10 rain-to-S I , D D 0.5 (on) V = DS 15V S D 20µs PULSE WIDTH R , Drain-to-Source On Resistance V = GS 10V 1 0.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 V , Gate-to-Source Voltage (V) ° GS T , Junction Temperature ( C) J
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка