AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Datasheet IRL3103PbF (International Rectifier) - 4

ПроизводительInternational Rectifier
ОписаниеHEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница10 / 4 — Fig 5. Fig 6. Fig 7. Fig 8
Формат / Размер файлаPDF / 198 Кб
Язык документаанглийский

Fig 5. Fig 6. Fig 7. Fig 8

Fig 5 Fig 6 Fig 7 Fig 8

37 предложений от 20 поставщиков
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 56А 83Вт, 0.014 Ом
Контест
Россия
IRL3103PBF
International Rectifier
131 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IRL3103PBF
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
IRL3103PBF
Infineon
по запросу
Augswan
Весь мир
IRL3103PBF
Infineon
по запросу

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRL3103PbF 3000 15 VGS = 0V, f = 1MHz ID = 34A C = C + C C SHORTED iss gs gd , ds C = C 2500 rss gd C = C + C oss ds gd 12 V = 24V DS tage (V) V = 15V DS 2000 Ciss 9 1500 Coss 6 1000 C, Capacitance (pF) 3 500 GS Crss V , Gate-to-Source Vol FOR TEST CIRCUIT SEE FIGURE 13 0 0 1 10 100 0 10 20 30 40 V , Drain-to-Source Voltage (V) DS Q , Total Gate Charge (nC) G
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 1000 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R DS(on) A( 100 tn T = 175 C e J ° rr 100 u C ecr 10 uo 100µsec S-ot-ni 10 ar 1 T = 25 C J ° D 1msec , I , Reverse Drain Current (A) SD I D Tc = 25°C Tj = 175°C 10msec V = 0 V GS Single Pulse 0.1 1 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 1 10 100 V ,Source-to-Drain Voltage (V) SD VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка