Источники питания Keen Side

Datasheet IRL3103PbF (International Rectifier) - 5

ПроизводительInternational Rectifier
ОписаниеHEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница10 / 5 — Fig 10a. Fig 9. Fig 10b. Fig 11
Формат / Размер файлаPDF / 198 Кб
Язык документаанглийский

Fig 10a. Fig 9. Fig 10b. Fig 11

Fig 10a Fig 9 Fig 10b Fig 11

37 предложений от 20 поставщиков
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 56А 83Вт, 0.014 Ом
IRL3103PBF
International Rectifier
от 86 ₽
ЧипСити
Россия
IRL3103PBF
Infineon
101 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IRL3103PBF
по запросу
Augswan
Весь мир
IRL3103PBF
Infineon
по запросу

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRL3103PbF 70 R V D DS 60 VGS D.U.T. 50 RG +-VDD 40 VGS Pulse Width ≤ 1 µs 30 Duty Factor ≤ 0.1 % I , Drain Current (A) D 20
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit 10 VDS 90% 025 50 75 100 125 150 175 T , Case Temperature ( C ° ) C 10%
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs. VGS Case Temperature td(on) tr td(off) tf
Fig 10b.
Switching Time Waveforms 10 ) thJC (Z 1 D = 0.50 0.20 esponse 0.10 PDM al R 0.05 0.1 m 0.02 SINGLE PULSE t1 0.01 (THERMAL RESPONSE) t2 Ther Notes: 1. Duty factor D = t / t 1 2 2. Peak T J =P DM x Z thJC + TC 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 t , Rectangular Pulse Duration (sec) 1
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case www.irf.com 5
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка