Datasheet IRL3103PbF (International Rectifier) - 7
| Производитель | International Rectifier |
| Описание | HEXFET Power MOSFET |
| Страниц / Страница | 10 / 7 — Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14 |
| Формат / Размер файла | PDF / 198 Кб |
| Язык документа | английский |
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14
35 предложений от 20 поставщиков TO-220 Isolated Tab;Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 56А 83Вт, 0.014 Ом |
| IRL3103PBF
Rochester Electronics | 37 ₽ | |
| IRL3103PBF
Infineon | 87 ₽ | |
| IRL3103PBF
Infineon | по запросу | |
| IRL3103PBF
| по запросу | |
Модельный ряд для этого даташита
Текстовая версия документа
IRL3103PbF
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
+
D.U.T
* Circuit Layout Considerations • Low Stray Inductance • Ground Plane • Low Leakage Inductance Current Transformer - + - + - RG • dv/dt controlled by R + G • ISD controlled by Duty Factor "D" - VDD • D.U.T. - Device Under Test VGS * Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period V [ GS=10V ] *** D.U.T. ISD Waveform Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. VDS Waveform Diode Recovery dv/dt V [ DD ] Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent Ripple ≤ 5% I [ SD ] *** VGS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14.
For N-channel HEXFET® power MOSFETs www.irf.com 7
Купить IRL3103PbF на РадиоЛоцман.Цены — от 9.76 до 194 ₽
