AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Datasheet IRF1010N (International Rectifier) - 3

ПроизводительInternational Rectifier
ОписаниеHEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница8 / 3 — Fig 1. Fig 2. Fig 3. Fig 4
Формат / Размер файлаPDF / 222 Кб
Язык документаанглийский

Fig 1. Fig 2. Fig 3. Fig 4

Fig 1 Fig 2 Fig 3 Fig 4

28 предложений от 21 поставщиков
Труба MOS канала N, Trans MOSFET N-CH 55V 85A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
Триема
Россия
IRF1010N
136 ₽
Десси
Россия
Транзистор полевой IRF1010N
142 ₽
AllElco Electronics
Весь мир
IRF1010NS MOS
International Rectifier
по запросу
727GS
Весь мир
IRF1010N
International Rectifier
по запросу
Современные альтернативы AC/DC-преобразователю хIPER12A от ведущих китайских производителей

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRF1010N 1000 1000 VGS VGS TOP 15V 15V 10V 10V 8.0V 8.0V 7.0V TOP 7.0V 6.0V 6.0V 5.5V 5.5V 5.0V 5.0V BOTTOM 4.5V BOTTOM 4.5V 100 100 4.5V 4.5V 10 10 D I , Drain-to-Source Current (A) D I , Drain-to-Source Current (A) 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH T = 25 J °C T = 175 J °C 1 1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 V , Drain-to-Source Voltage (V) V , Drain-to-Source Voltage (V) DS DS
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics 100 2.5 ID = 85A T = 25 C ° J 2.0 T = 175 C ° J 1.5 10 1.0 (Normalized) 0.5 I , Drain-to-Source Current (A) D V = 25V DS DS(on) 20µs PULSE WIDTH V = 10V R , Drain-to-Source On Resistance GS 1 0.0 4 6 8 10 12 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 V , Gate-to-Source Voltage (V) ° GS T , Junction Temperature( C) J
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка