Datasheet IRF1010N (International Rectifier) - 3
Производитель | International Rectifier |
Описание | HEXFET Power MOSFET |
Страниц / Страница | 8 / 3 — Fig 1. Fig 2. Fig 3. Fig 4 |
Формат / Размер файла | PDF / 222 Кб |
Язык документа | английский |
Fig 1. Fig 2. Fig 3. Fig 4

29 предложений от 22 поставщиков Труба MOS канала N, Trans MOSFET N-CH 55V 85A 3Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRF1010N
| от 66 ₽ | |
| IRF1010N
| 136 ₽ | |
| IRF1010N International Rectifier | по запросу | |
| IRF1010N/E
| по запросу | |
Модельный ряд для этого даташита
Текстовая версия документа
IRF1010N 1000 1000 VGS VGS TOP 15V 15V 10V 10V 8.0V 8.0V 7.0V TOP 7.0V 6.0V 6.0V 5.5V 5.5V 5.0V 5.0V BOTTOM 4.5V BOTTOM 4.5V 100 100 4.5V 4.5V 10 10 D I , Drain-to-Source Current (A) D I , Drain-to-Source Current (A) 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH T = 25 J °C T = 175 J °C 1 1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 V , Drain-to-Source Voltage (V) V , Drain-to-Source Voltage (V) DS DS
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics 100 2.5 ID = 85A T = 25 C ° J 2.0 T = 175 C ° J 1.5 10 1.0 (Normalized) 0.5 I , Drain-to-Source Current (A) D V = 25V DS DS(on) 20µs PULSE WIDTH V = 10V R , Drain-to-Source On Resistance GS 1 0.0 4 6 8 10 12 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 V , Gate-to-Source Voltage (V) ° GS T , Junction Temperature( C) J
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance Vs. Temperature www.irf.com 3