AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Datasheet IRF1010N (International Rectifier) - 5

ПроизводительInternational Rectifier
ОписаниеHEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница8 / 5 — Fig 10a. Fig 9. Fig 10b. Fig 11
Формат / Размер файлаPDF / 222 Кб
Язык документаанглийский

Fig 10a. Fig 9. Fig 10b. Fig 11

Fig 10a Fig 9 Fig 10b Fig 11

28 предложений от 21 поставщиков
Труба MOS канала N, Trans MOSFET N-CH 55V 85A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
Элитан
Россия
IRF1010NS
Infineon
83 ₽
AiPCBA
Весь мир
IRF1010N
International Rectifier
283 ₽
TradeElectronics
Россия
IRF1010N-PBF
по запросу
Maybo
Весь мир
IRF1010N
Infineon
по запросу
Современные альтернативы AC/DC-преобразователю хIPER12A от ведущих китайских производителей

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRF1010N 100 RD V LIMITED BY PACKAGE DS VGS 80 D.U.T. RG + -VDD 60 VGS Pulse Width ≤ 1 µs Duty Factor ≤ 0.1 % 40 I , Drain Current (A) D
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit 20 VDS 90% 0 25 50 75 100 125 150 175 T , Case Temperature ( C) ° C 10% V
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs. GS t Case Temperature d(on) tr td(off) tf
Fig 10b.
Switching Time Waveforms 1 D = 0.50 thJC (Z ) 0.20 0.10 0.1 0.05 0.02 SINGLE PULSE (THERMAL RESPONSE) 0.01 Thermal Response PDM t1 t 2 Notes: 1. Duty factor D = t / t 1 2 2. Peak T = P x Z + T J DM thJC C 0.01 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 t , Rectangular Pulse Duration (sec) 1
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case www.irf.com 5
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка