Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet IRF1010N (International Rectifier) - 6

ПроизводительInternational Rectifier
ОписаниеHEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница8 / 6 — Fig 12a. Fig 12c. Fig 12b. Fig 13a. Fig 13b
Формат / Размер файлаPDF / 222 Кб
Язык документаанглийский

Fig 12a. Fig 12c. Fig 12b. Fig 13a. Fig 13b

Fig 12a Fig 12c Fig 12b Fig 13a Fig 13b

28 предложений от 21 поставщиков
Труба MOS канала N, Trans MOSFET N-CH 55V 85A 3Pin(3+Tab) TO-220AB
ЧипСити
Россия
IRF1010N
International Rectifier
266 ₽
Maybo
Весь мир
IRF1010N
Infineon
по запросу
LifeElectronics
Россия
IRF1010N-011
по запросу
IRF1010N
International Rectifier
по запросу
Современные альтернативы AC/DC-преобразователю хIPER12A от ведущих китайских производителей

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRF1010N 500 1 5 V L D R IV E R V D S ID TOP 18A 30A 400 BOTTOM 43A R G D .U .T + 300 V - D D IA S A 2 0 V V GS t 0 .0 1 p Ω 200
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit 100 V (B R )D S S tp ASE , Single Pulse Avalanche Energy (mJ) 0 25 50 75 100 125 150 175 Starting T , Junction Temperature( C) ° J
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy Vs. Drain Current I A S
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms Current Regulator Same Type as D.U.T. 50KΩ .2µF 12V QG .3µF + VGS V D.U.T. DS - QGS QGD VGS VG 3mA I I G D Charge Current Sampling Resistors
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit 6 www.irf.com
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка