Datasheet IRF1010N (International Rectifier) - 7
| Производитель | International Rectifier |
| Описание | HEXFET Power MOSFET |
| Страниц / Страница | 8 / 7 — Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14 |
| Формат / Размер файла | PDF / 222 Кб |
| Язык документа | английский |
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit. D.U.T. Fig 14
29 предложений от 22 поставщиков Труба MOS канала N, Trans MOSFET N-CH 55V 85A 3Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRF1010N
International Rectifier | 20 ₽ | |
| IRF1010N
International Rectifier | по запросу | |
| IRF1010N
International Rectifier | по запросу | |
| IRF1010N-011
| по запросу | |
Модельный ряд для этого даташита
Текстовая версия документа
IRF1010N
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit
+ Circuit Layout Considerations
D.U.T
* • Low Stray Inductance • Ground Plane • Low Leakage Inductance Current Transformer - + - + - RG • dv/dt controlled by R + G • ISD controlled by Duty Factor "D" V - DD • D.U.T. - Device Under Test VGS * Reverse Polarity of D.U.T for P-Channel Driver Gate Drive P.W. Period D = P.W. Period VGS=10V [ ] *** D.U.T. ISD Waveform Reverse Recovery Body Diode Forward Current Current di/dt D.U.T. VDS Waveform Diode Recovery dv/dt V [ DD ] Re-Applied Voltage Body Diode Forward Drop Inductor Curent Ripple ≤ 5% [ISD ] *** VGS = 5.0V for Logic Level and 3V Drive Devices
Fig 14.
For N-channel HEXFET® power MOSFETs www.irf.com 7
Купить IRF1010N на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 5 868 ₽
