AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Datasheet IRF, MTP (New Jersey Semiconductor)

ПроизводительNew Jersey Semiconductor
ОписаниеN-Channel Power MOSFETs, 11 A, 60-100 V
Страниц / Страница3 / 1 — J , U na. £Z £mi-L.onau.ctoi TELEPHONE: (973) 376-2922. (212)227-6005. …
Формат / Размер файлаPDF / 812 Кб
Язык документаанглийский

J , U na. £Z £mi-L.onau.ctoi TELEPHONE: (973) 376-2922. (212)227-6005. FAX: (973) 376-8960 20 STERN AVE

Datasheet IRF, MTP New Jersey Semiconductor

17 предложений от 17 поставщиков
, Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA
IRF120
Harris
320 ₽
Зенер
Россия и страны ТС
IRF120
411 ₽
Augswan
Весь мир
IRF120
Harris
по запросу
TradeElectronics
Россия
IRF120NTRL
Fairchild
по запросу

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

J , U na. £Z>£mi-L.onau.ctoi TELEPHONE: (973) 376-2922
(212)227-6005
FAX: (973) 376-8960 20 STERN AVE.
SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081
U.S.A. IRF120-123/IRF520-523
MTP10N08/10N10
N-Channel Power MOSFETs,
11 A, 60-100 V
Power And Discrete Division Description TO-204AA TO-220AB IRF120
IRF121
IRF122
IRF123 IRF520
IRF521
IRF522
IRF523
MTP10N08
MTP10N10 These devices are n-channel, enhancement mode, power
MOSFETs designed especially for high speed applications,
such as switching power supplies, converters, AC and DC
motor controls, relay and solenoid drivers and other pulse
circuits.
Low RDs
Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring