Поставки продукции Nuvoton по официальным каналам

Datasheet FZT788B (Diodes) - 4

ПроизводительDiodes
Описание15V PNP Medium Power High Gain Transistor In SOT223
Страниц / Страница7 / 4 — FZT788B. Electrical Characteristics. Characteristic. Symbol. Min. Typ. …
Формат / Размер файлаPDF / 1.2 Мб
Язык документаанглийский

FZT788B. Electrical Characteristics. Characteristic. Symbol. Min. Typ. Max. Unit. Test Condition. www.diodes.com

FZT788B Electrical Characteristics Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Test Condition www.diodes.com

25 предложений от 13 поставщиков
Bipolar Transistors - BJT PNP High gain
AiPCBA
Весь мир
FZT788BTA
Diodes
30 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
FZT788BTA
Zetex
по запросу
Контест
Россия
FZT788BTA
Zetex
по запросу
Augswan
Весь мир
FZT788BTA
Diodes
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

FZT788B Electrical Characteristics
(@TA = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic Symbol Min Typ Max Unit Test Condition
Collector-Base Breakdown Voltage BVCBO -15 — — V IC = -100µA Collector-Emitter Breakdown Voltage (Note 11) BVCEO -15 — — V IC = -10mA Emitter-Base Breakdown Voltage BVEBO -7 — — V IE = -100µA Collector-Base Cut-Off Current ICBO — — -100 nA VCB = -10V Emitter Cut-Off Current IEBO — — -100 nA VEB = -4V 500 — — IC = -10mA, VCE = -2V 400 — — IC = -1A, VCE = -2V DC Current Gain (Note 11) hFE — 300 — — IC = -2A, VCE = -2V 150 — — IC = -6A, VCE = -2V — — -0.15 IC = -0.5A, IB = -2.5mA — — -0.25 IC = -1A, IB = -5mA Collector-Emitter Saturation Voltage (Note 11) VCE(sat) — V — -0.45 IC = -2A, IB = -10mA — — -0.5 IC =- 3A, IB = -50mA Base-Emitter Saturation Voltage (Note 11) VBE(sat) — — -0.9 V IC = -1A, IB = -5mA Base-Emitter Turn-On Voltage (Note 11) VBE(on) — -0.75 — V IC = -1A, VCE = -2V Input Capacitance Cibo — 225 — pF VEB = -0.5V, f = 1MHz Output Capacitance Cobo — 25 — pF VCB = -10V, f = 1MHz V Current Gain-Bandwidth Product f CE = -5V, IC = -50mA, T 100 — — MHz f=50MHz Turn-On Time ton — 35 — ns VCC = -10V, IC = -500mA Turn-Off Time t I off — 400 — ns B1 = -IB2 = -50mA Note: 11. Measured under pulsed conditions. Pulse width ≤ 300 µs. Duty cycle ≤ 2%. FZT788B 4 of 7 March 2022 Document number: DS33167 Rev. 5 - 2
www.diodes.com
© Diodes Incorporated
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка