Клеммники KEEN SIDE

Datasheet Si3457CDV (Vishay) - 5

ПроизводительVishay
ОписаниеP-Channel 30 V (D-S) MOSFET
Страниц / Страница11 / 5 — Si3457CDV. TYPICAL CHARACTERISTICS. Current Derating a. Power, …
Формат / Размер файлаPDF / 328 Кб
Язык документаанглийский

Si3457CDV. TYPICAL CHARACTERISTICS. Current Derating a. Power, Junction-to-Foot. Notes

Si3457CDV TYPICAL CHARACTERISTICS Current Derating a Power, Junction-to-Foot Notes

39 предложений от 16 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
Microfind
Россия
SI3457CDV-T1-GE3
Vishay
7.46 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI3457CDV-T1-GE3
Vishay
8.16 ₽
Зенер
Россия и страны ТС
SI3457CDV-T1-GE3
Vishay
от 33 ₽
727GS
Весь мир
SI3457CDV-T1-GE3
Vishay
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 3. Многоканальные АЦП с синхронной выборкой

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

Si3457CDV
www.vishay.com Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
(25 °C, unless otherwise noted) 6 4 5 3 4 3 2 Power (W) - Drain Current (A) 2 I D 1 1 0 0 0 25 50 75 100 125 150 25 50 75 100 125 150 TC - Case Temperature (°C) TC - Case Temperature (°C)
Current Derating a Power, Junction-to-Foot Notes
a. The power dissipation PD is based on TJ max. = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package limit SO9-0131-Rev. B, 02-Feb-09
5
Document Number: 68602 For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка