Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English de - Deutsch es - Espanol zh - 中文
РадиоЛоцман - Все об электронике
DatasheetsDatasheet WM02N50M (Wayon)

Datasheet WM02N50M (Wayon) - 4

ПроизводительWayon
ОписаниеN-Channel Enhancement MOSFET
Страниц / Страница5 / 4 — WM02N50M. Ciss. Coss. Crss. F=1.0MHz
Формат / Размер файлаPDF / 367 Кб
Язык документаанглийский

WM02N50M. Ciss. Coss. Crss. F=1.0MHz

WM02N50M Ciss Coss Crss F=1.0MHz

35 предложений от 11 поставщиков
Транзистор полевой MOSFET N-канальный напряжение сток-исток 20В, ток стока 5.А
Элитан
Россия
WM02N50M
Wayon		2.98 ₽
Элрус
Россия
WM02N50M
Wayon		от 3.24 ₽
Промэлектроника
Россия и страны СНГ
WM02N50M
Wayon		4.62 ₽
WM02N50M
Wayon		от 5.04 ₽
Интернет-магазин ДКО Электронщик снова с вами!

Модельный ряд для этого даташита

WM02N50M

Текстовая версия документа

WM02N50M
10000 1000
Ciss
） pF （ 100
Coss
ce n ta
Crss
ciapa 10 C
F=1.0MHz
1 0 5 10 15 20 Drain-source voltage VDS（V） Figure 7. Capacitance Characteristics Figure 8. Gate Charge Characteristics Rev.D,2021 www.way-on.com 4 / 5
Хотите получать уведомления о выходе новых материалов на сайте?
Подпишитесь на рассылку!
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка
Акустические электронные компоненты: за пределами музыки и наушников
ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка
Срезы
Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring