Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet IRFP9140 (Vishay) - 4

ПроизводительVishay
ОписаниеPower MOSFET
Страниц / Страница11 / 4 — IRFP9140. Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage. Fig. …
Формат / Размер файлаPDF / 1.0 Мб
Язык документаанглийский

IRFP9140. Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage. Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage

IRFP9140 Fig 5 - Typical Capacitance vs Drain-to-Source Voltage Fig 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage

63 предложений от 23 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, универсальный, P Канал, 100 В, 21 А, 0.2 Ом, TO-247AC, Through Hole
Lixinc Electronics
Весь мир
IRFP9140PBF
Vishay
от 139 ₽
IRFP9140PBF
Vishay
от 200 ₽
Контест
Россия
IRFP9140PBF
Vishay
310 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
IRFP9140PBF
Vishay
по запросу
SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRFP9140
www.vishay.com Vishay Siliconix
Fig. 5 - Typical Capacitance vs. Drain-to-Source Voltage Fig. 7 - Typical Source-Drain Diode Forward Voltage Fig. 6 - Typical Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage Fig. 8 - Maximum Safe Operating Area
S22-0058-Rev. C, 31-Jan-2022
4
Document Number: 91238 For technical questions, contact: hvm@vishay.com THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка