Datasheet ZTX849 (Diodes) - 3

Производитель	Diodes
Описание	NPN Silicon Planar Medium Power High Current Transistor
Страниц / Страница	3 / 3 — TYPICAL CHARACTERISTICS. VCE(sat) v IC. hFE v IC. VBE(sat) v IC. VBE(on) …
Формат / Размер файла	PDF / 68 Кб
Язык документа	английский

TYPICAL CHARACTERISTICS. VCE(sat) v IC. hFE v IC. VBE(sat) v IC. VBE(on) v IC. Safe Operating Area

1 2

Купить ZTX849 на РадиоЛоцман.Цены — от 9.59 до 3 407 ₽ 32 предложений от 19 поставщиков Двухполюсный плоскостной транзистор, Trans GP BJT NPN 30V 5A Automotive 3Pin E-Line Box
AiPCBA Весь мир	ZTX849STZ Diodes	52 ₽
Компонентс Ру Россия	ZTX849 Diodes	от 78 ₽
ЭлектроПласт Россия	ZTX849-ND Diodes	по запросу
TradeElectronics Россия	ZTX849STOA Diodes	по запросу

Модельный ряд для этого даташита

ZTX849

Текстовая версия документа

ZTX849
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.8 1.6 300 1.4 ni olts) 0.6 1.2 l Gain a - (V Ga 1.0 200 ) ic t a 0.4 0.8 ised yp (s l IC/IB=10 VCE=5V - T CE IC/IB=50 0.6 VCE=1V V 100 FE h 0.2 0.4 - Norma E 0.2 F h 0 0 0.01 0.1 100 0.01 0.1 1 10 1 10 100 IC - Collector Current (Amps) IC - Collector Current (Amps)
VCE(sat) v IC hFE v IC
VCE=1V 2.0 2.0 olts) olts) 1.5 1.5 V - (V IC/IB=10 ) IC/IB=50 - ( E at B s( V 1.0 1.0 BE V 0.5 0.5 0.001 0.01 0.1 1 10 100 0.001 0.01 0.1 1 10 100 IC - Collector Current (Amps) IC - Collector Current (Amps)
VBE(sat) v IC VBE(on) v IC
Single Pulse Test at Tamb=25°C 100 ps) Am ( nt 10 re r Cur to c D.C. lle 1s 1 100ms 10ms - Co 1.0ms IC 0.1ms 0.1 0.1 1 10 100 VCE - Collector Voltage (Volts)
Safe Operating Area
3-293

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring