Производитель | NXP |
Описание | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
Страниц / Страница | 16 / 7 — TYPICAL CHARACTERISTICS. Figure 12. MTTF versus Junction Temperature. … |
Формат / Размер файла | PDF / 1.1 Мб |
Язык документа | английский |
![]() 13 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, RF Power Transistor,2700 to 2900MHz, 320W, Typ Gain in dB is 13.3 @ 2900MHz, 30V, LDMOS, SOT1787 | |||
MRF8P29300HR6 Freescale | 26 725 ₽ | ||
MRF8P29300HR6 Freescale | 29 621 ₽ | ||
MRF8P29300HR6 Maxim | по запросу | ||
MRF8P29300HR6 NXP | по запросу |