Производитель | NXP |
Описание | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
Страниц / Страница | 16 / 8 — Zsource. Zload. MHz. Z source. Z load. Figure 13. Series Equivalent … |
Формат / Размер файла | PDF / 1.1 Мб |
Язык документа | английский |
![]() 11 предложений от 10 поставщиков RF Power Transistor,2700 to 2900MHz, 320W, Typ Gain in dB is 13.3 @ 2900MHz, 30V, LDMOS, SOT1829 | |||
MRF8P29300HSR6 NXP | от 102 ₽ | ||
MRF8P29300HSR6 NXP | по запросу | ||
MRF8P29300HSR6 | по запросу | ||
MRF8P29300HSR6 NXP | по запросу |