Поставки продукции Nuvoton по официальным каналам

Datasheet BT138-800E (NXP)

ПроизводительNXP
Описание4Q Triac
Страниц / Страница13 / 1 — TO-220AB. BT138-800E. 4Q Triac. 30 August 2013. Product data sheet. 1. …
Формат / Размер файлаPDF / 190 Кб
Язык документаанглийский

TO-220AB. BT138-800E. 4Q Triac. 30 August 2013. Product data sheet. 1. General description. 2. Features and benefits. 3. Applications

Datasheet BT138-800E NXP

78 предложений от 36 поставщиков
Симисторы.Режим работы: 4QСпособ монтажа: СквознойМаксимальное обратное повторяющееся напряжение (Vdrm), В: 800Коммутируемый ток, А: 12Максимальный ударный ток (Itsm), А: 120Ток удержания, мА:...
Элитан
Россия
BT138-800E
19 ₽
Триема
Россия
BT138-800E
26 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
BT138-800E/DG,127
по запросу
TradeElectronics
Россия
BT138-800E/B
NXP
по запросу

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

link to page 5 link to page 5 link to page 4 link to page 4 link to page 4 link to page 8 link to page 8
TO-220AB BT138-800E 4Q Triac 30 August 2013 Product data sheet 1. General description
Planar passivated sensitive gate four quadrant triac in a SOT78 (TO-220AB) plastic package intended for use in general purpose bidirectional switching and phase control applications. This sensitive gate "series E" triac is intended to be interfaced directly to microcontrollers, logic integrated circuits and other low power gate trigger circuits.
2. Features and benefits
• Direct triggering from low power drivers and logic ICs • High blocking voltage capability • Planar passivated for voltage ruggedness and reliability • Sensitive gate • Triggering in all four quadrants
3. Applications
• General purpose motor control • General purpose switching
4. Quick reference data Table 1. Quick reference data Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit
VDRM repetitive peak off- - - 800 V state voltage ITSM non-repetitive peak on- full sine wave; Tj(init) = 25 °C; - - 95 A state current tp = 20 ms; Fig. 4; Fig. 5 Tj junction temperature - - 125 °C IT(RMS) RMS on-state current full sine wave; Tmb ≤ 99 °C; Fig. 1; - - 12 A Fig. 2; Fig. 3
Static characteristics
IGT gate trigger current VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G+; - 2.5 10 mA Tj = 25 °C; Fig. 7 VD = 12 V; IT = 0.1 A; T2+ G-; - 4 10 mA Tj = 25 °C; Fig. 7 Scan or click this QR code to view the latest information for this product Document Outline 1. General description 2. Features and benefits 3. Applications 4. Quick reference data 5. Pinning information 6. Ordering information 7. Limiting values 8. Thermal characteristics 9. Characteristics 10. Package outline 11. Legal information
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка