Источники питания Keen Side

Datasheet 2SJ160, 2SJ161, 2SJ162 (Renesas) - 6

ПроизводительRenesas
ОписаниеSilicon P Channel MOSFET
Страниц / Страница8 / 6 — 2SJ160, 2SJ161, 2SJ162. Forward Transfer Admittance vs
Формат / Размер файлаPDF / 86 Кб
Язык документаанглийский

2SJ160, 2SJ161, 2SJ162. Forward Transfer Admittance vs

2SJ160, 2SJ161, 2SJ162 Forward Transfer Admittance vs

14 предложений от 14 поставщиков
Металлооксидные резисторы Metal Oxide Film Resistor 2W 5%
Augswan
Весь мир
2SJ162-E
Renesas
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
2SJ162-E
Renesas
по запросу
LifeElectronics
Россия
2SK1058+2SJ162-E
Hitachi
по запросу
2SJ162E
Hitachi
по запросу

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

2SJ160, 2SJ161, 2SJ162
Forward Transfer Admittance vs.
Frequency Forward Transfer Admittance |yfs| (S) Input Capacitance vs.
Gate to Source Voltage Input Capacitance Ciss (pF) 1000 500 200
VDS = –10 V
f = 1 MHz
100 0 2 4 6 8 10 3
1
0.3
0.1
0.03
0.01 Tc = 25°C
VDS = –10 V
ID = –2 A 0.003
10 k 30 k 100 k 300 k 1M 3M 10 M Frequency f (Hz) Gate to Source Voltage VGS (V) Switching Time vs. Drain Current Switching Time ton, toff (ns) 500
ton 200
100
50 toff 20
10
5
–0.1 –0.2 –0.5 –1 Drain Current –2 –5 –10 ID (A) Switching Time Test Circuit Waveform Output
10%
Input RL Input 90%
ton –20 V
PW = 50 µs
duty ratio = 1% 50 Ω toff 90%
Output
10% Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 4 of 5
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка