Источники питания Keen Side

Preliminary Datasheet IRL3502 (International Rectifier) - 3

ПроизводительInternational Rectifier
ОписаниеHEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница8 / 3 — Fig 1. Fig 2. Fig 3. Fig 4
Формат / Размер файлаPDF / 84 Кб
Язык документаанглийский

Fig 1. Fig 2. Fig 3. Fig 4

Fig 1 Fig 2 Fig 3 Fig 4

27 предложений от 23 поставщиков
20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
ChipWorker
Весь мир
IRL3502
Infineon
11 ₽
ЭИК
Россия
IRL3502
International Rectifier
от 283 ₽
Augswan
Весь мир
IRL3502STRLPBF
Infineon
по запросу
IRL3502 (ST-STP85N3LH5)
Sanken
по запросу

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRL3502 1000 1000 VGS VGS TOP 7.00V TOP 7.00V 5.00V 5.00V 4.50V 4.50V 3.50V 3.50V 3.00V 3.00V 2.70V 2.70V 2.50V 2.50V BOTTOM 2.25V BOTTOM 2.25V 100 100 2.25V 2.25V I , Drain-to-Source Current (A) D I , Drain-to-Source Current (A) D 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH T = 25 J °C T = 150 J °C 10 10 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 V , Drain-to-Source Voltage (V) DS V , Drain-to-Source Voltage (V) DS
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 2.
Typical Output Characteristics 1000 2.0 ID = 110A T = 25 C ° J 1.5 T = 150 C ° J 100 1.0 (Normalized) 0.5 I , Drain-to-Source Current (A) D V = 15V DS 20µs PULSE WIDTH DS(on) V = GS 4.5V 10 R , Drain-to-Source On Resistance 0.0 2 3 4 5 6 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 V , Gate-to-Source Voltage (V) ° GS T , Junction Temperature( C) J
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance Vs. Temperature
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка