Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Preliminary Datasheet IRL3502 (International Rectifier) - 4

ПроизводительInternational Rectifier
ОписаниеHEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница8 / 4 — Fig 5. Fig 6. Fig 7. Fig 8
Формат / Размер файлаPDF / 84 Кб
Язык документаанглийский

Fig 5. Fig 6. Fig 7. Fig 8

Fig 5 Fig 6 Fig 7 Fig 8

27 предложений от 23 поставщиков
20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
727GS
Весь мир
IRL3502S
Infineon
3.26 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IRL3502SPBF
International Rectifier
по запросу
IRL3502STRR
International Rectifier
по запросу
Augswan
Весь мир
IRL3502STRLPBF
Infineon
по запросу

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRL3502 8000 15 VGS = 0V, f = 1MHz ID = 64A C = C + C C SHORTED iss gs gd , ds C = C rss gd C = C + C V = 16V oss ds gd DS 12 6000 Ciss 9 4000 Coss 6 C, Capacitance (pF) 2000 3 Crss GSV , Gate-to-Source Voltage (V) 0 0 1 10 100 0 40 80 120 160 V , Drain-to-Source Voltage (V) DS Q , Total Gate Charge (nC) G
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 1000 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY RDS(on) 10us T = 150 C ° J 100us 100 100 D T = 25 C ° I , Drain Current (A) J 1ms I , Reverse Drain Current (A) SD T = 25 C ° C T = 150 C ° J V = 0 V GS Single Pulse 10ms 10 10 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 1 10 100 V ,Source-to-Drain Voltage (V) SD V , Drain-to-Source Voltage (V) DS
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area Forward Voltage
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка