Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet IRF2804, IRF2804S, IRF2804L (International Rectifier) - 6

ПроизводительInternational Rectifier
ОписаниеHEXFET Power MOSFET
Страниц / Страница12 / 6 — Fig 12a. Fig 12c. Fig 12b. Fig 13a. Fig 14. Fig 13b
Формат / Размер файлаPDF / 292 Кб
Язык документаанглийский

Fig 12a. Fig 12c. Fig 12b. Fig 13a. Fig 14. Fig 13b

Fig 12a Fig 12c Fig 12b Fig 13a Fig 14 Fig 13b

75 предложений от 36 поставщиков
Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 160 А, 330 Вт, 1.6 мОм
AllElco Electronics
Весь мир
IRF2804PBF
Infineon
от 38 ₽
AiPCBA
Весь мир
IRF2804SPBF-IR
International Rectifier
77 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
IRF2804SPBF
Rochester Electronics
от 80 ₽
IRF2804STRLPBF
Infineon
от 209 ₽

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

IRF2804/S/L 15V 1600 ) J ID m( TOP 31A y 53A L DRIVER g VDS r BOTTOM 75A e 1200 n E e R h G D.U.T + c V n - DD I a AS A l a 20V V 800 GS v t 0.01Ω A p e sl u P e
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit l 400 g ni S V , (BR)DSS S A tp E 0 25 50 75 100 125 150 175 Starting TJ, Junction Temperature (°C) IAS
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms vs. Drain Current QG 10 V QGS QGD 4.0 VG ) V( egatl I o D = 250µA Charge V 3.0 dl o
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform h s erht Current Regulator et Same Type as D.U.T. a 2.0 G )ht 50KΩ ( S .2µF 12V G .3µF V +V D.U.T. DS - 1.0 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 VGS TJ , Temperature ( °C ) 3mA I I G D Current Sampling Resistors
Fig 14.
Threshold Voltage vs. Temperature
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit 6 www.irf.com
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка