Datasheet ZVN3306A (Diodes) - 3

Производитель	Diodes
Описание	N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FET
Страниц / Страница	3 / 3 — ZVN3306A. TYPICAL CHARACTERISTICS. Transconductance v gate-source …
Формат / Размер файла	PDF / 53 Кб
Язык документа	английский

ZVN3306A. TYPICAL CHARACTERISTICS. Transconductance v gate-source voltage. Capacitance v drain-source voltage

1 2

Купить ZVN3306A на РадиоЛоцман.Цены — от 6.47 до 360 ₽ 42 предложений от 17 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 270 мА, 5 Ом, TO-226AA, Through Hole
AllElco Electronics Весь мир	ZVN3306A Diodes	от 6.47 ₽
ChipWorker Весь мир	ZVN3306A Diodes	16 ₽
Lixinc Electronics Весь мир	ZVN3306A Diodes	от 34 ₽
Стандарт СИЗ Россия	ZVN3306A (ST-2N7000) Texas Instruments	по запросу

Модельный ряд для этого даташита

ZVN3306A

Текстовая версия документа

ZVN3306A TYPICAL CHARACTERISTICS
200 50 180 160 40 140 nce (mS) 120 30 VDS=18V Ciss ucta 100 nd 80 20 o 60 sc an 40 10 r C-Capacitance (pF) T Coss - 20 fs Crss g 0 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 10 20 30 40 50 VGS-Gate Source Voltage (Volts) VDS-Drain Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage Capacitance v drain-source voltage
VDD=20V 30V 50V 16 olts) 14 ID=800mA 12 10 oltage (V 8 6 4 2 -Gate Source V S G 0 V 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 Q-Charge (nC)
Gate charge v gate-source voltage
3-377

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring