Источники питания KEEN SIDE

Datasheet SFH 309 FA (OSRAM) - 5

ПроизводительOSRAM
ОписаниеSilicon NPN Phototransistor
Страниц / Страница16 / 5 — link. to. page. 14. SFH. 309. FA. DATA. A. SHEET. Characteristics. T. =. …
Формат / Размер файлаPDF / 1.2 Мб
Язык документаанглийский

link. to. page. 14. SFH. 309. FA. DATA. A. SHEET. Characteristics. T. =. 25. °C. A. Parameter. Symbol. Values. Wavelength. of. max. sensitivity. λ. typ. 900. nm. S. max

link to page 14 SFH 309 FA DATA A SHEET Characteristics T = 25 °C A Parameter Symbol Values Wavelength of max sensitivity λ typ 900 nm S max

6 предложений от 6 поставщиков
Светодиод (дискретный), Phototransistor IR Chip Silicon 900nm 2Pin T-1
ChipWorker
Весь мир
SFH309FA-3/4
13 ₽
Элитан
Россия
SFH309FA-3/4
OSRAM
62 ₽
SFH309FA-3/4
Siemens
по запросу
TradeElectronics
Россия
SFH309FA34
Siemens
по запросу
Интернет-магазин ДКО Электронщик снова с вами!

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

link to page 14 SFH 309 FA DATA A SHEET Characteristics T = 25 °C A Parameter Symbol Values Wavelength of max sensitivity λ typ. 900 nm S max Spectral range of sensitivity λ typ. 730 ... 1120 10% nm Dimensions of chip area L x W typ. 0.45 x 0.45 mm x mm Radiant sensitive area A typ. 0.038 mm² Ø = 220 µm Distance chip front to case surface H max. 2.8 min. 2.4 Half angle φ typ. 12 ° Dark current I typ. 1 nA CE0 V = 20 V max. 50 nA CE Rise time t typ. 7 µs r I  = 1 mA; λ = 950 nm; V = 5 V; R  = 1 kΩ C CE L Fall time t typ. 7 µs f I  = 1 mA; λ = 950 nm; V = 5 V; R  = 1 kΩ C CE L Collector-emitter saturation voltage 3) V typ. 200 mV CEsat I = I  X 0.3; λ = 950 nm; E = 0.5 mW/cm² C PCE,min e Capacitance C typ. 5 pF CE V = 0 V; f = 1 MHz; E = 0 CE 5 | Version 1.4 | 2022-08-11
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка