AC-DC и DC-DC преобразователи напряжения Top Power на складе ЭЛТЕХ

Datasheet SFH 309 FA (OSRAM) - 5

ПроизводительOSRAM
ОписаниеSilicon NPN Phototransistor
Страниц / Страница16 / 5 — link. to. page. 14. SFH. 309. FA. DATA. A. SHEET. Characteristics. T. =. …
Формат / Размер файлаPDF / 1.2 Мб
Язык документаанглийский

link. to. page. 14. SFH. 309. FA. DATA. A. SHEET. Characteristics. T. =. 25. °C. A. Parameter. Symbol. Values. Wavelength. of. max. sensitivity. λ. typ. 900. nm. S. max

link to page 14 SFH 309 FA DATA A SHEET Characteristics T = 25 °C A Parameter Symbol Values Wavelength of max sensitivity λ typ 900 nm S max

18 предложений от 16 поставщиков
NPN кремниевый фототранзистор 3мм/730-1200нм/ Ipce=1.6-5mA/ ± 20/12°
Augswan
Весь мир
SFH309FA-5/6
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
SFH309FA-5
OSRAM
по запросу
SFH309FA5
Siemens
по запросу
ТаймЧипс
Россия
SFH309FA5-E9390
Siemens
по запросу

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

link to page 14 SFH 309 FA DATA A SHEET Characteristics T = 25 °C A Parameter Symbol Values Wavelength of max sensitivity λ typ. 900 nm S max Spectral range of sensitivity λ typ. 730 ... 1120 10% nm Dimensions of chip area L x W typ. 0.45 x 0.45 mm x mm Radiant sensitive area A typ. 0.038 mm² Ø = 220 µm Distance chip front to case surface H max. 2.8 min. 2.4 Half angle φ typ. 12 ° Dark current I typ. 1 nA CE0 V = 20 V max. 50 nA CE Rise time t typ. 7 µs r I  = 1 mA; λ = 950 nm; V = 5 V; R  = 1 kΩ C CE L Fall time t typ. 7 µs f I  = 1 mA; λ = 950 nm; V = 5 V; R  = 1 kΩ C CE L Collector-emitter saturation voltage 3) V typ. 200 mV CEsat I = I  X 0.3; λ = 950 nm; E = 0.5 mW/cm² C PCE,min e Capacitance C typ. 5 pF CE V = 0 V; f = 1 MHz; E = 0 CE 5 | Version 1.4 | 2022-08-11
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка