Datasheet AOTF10B65M2 (Alpha & Omega) - 5
Производитель | Alpha & Omega |
Описание | 650V, 10A Alpha IGBT With Soft And Fast Recovery Anti-Parallel Diode |
Страниц / Страница | 9 / 5 — AOTF10B65M2. TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS. (ns. itc. I … |
Формат / Размер файла | PDF / 1.2 Мб |
Язык документа | английский |
AOTF10B65M2. TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS. (ns. itc. I (A). R (. Figure 13: Switching Time vs. I

40 предложений от 15 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные |
| AOTF10B65M2
| от 104 ₽ | |
| AOTF10B65M2
| 141 ₽ | |
| AOTF10B65M2 Aos | 147 ₽ | |
| AOTF10B65M2
| по запросу | |
Модельный ряд для этого даташита
Текстовая версия документа
AOTF10B65M2
≤
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
10000 10000 Td(off) Td(off) Tf Tf Td(on) Td(on) 1000 Tr Tr
)
1000
) (ns (ns e e im im T
100
T
100
ng ng hi hi itc itc w w S
10
S
10 1 1 5 8 11 14 17 20 0 50 100 150 200 250 300
I (A) R (
W
) C g Figure 13: Switching Time vs. I Figure 14: Switching Time vs. R C g (T =150°C, V =15V, V =400V, R =30
W
) (T =150°C, V =15V, V =400V, I =10A) j GE CE g j GE CE C
10000 7 Td(off) Tf Td(on) 6 Tr 1000 5
(ns) e ) (V im )
100
T
4
g (TH E in G h V itc
3
w
10
S
2 1 1 25 50 75 100 125 150 0 25 50 75 100 125 150
T (°C) J T (°C) J Figure 15: Switching Time vs.Tj Figure 16: V vs. T GE(TH) j (V =15V, V =400V, I =10A, R =30
W
) GE CE C g
Rev.2.0: February 2021
www.aosmd.com
Page 5 of 9