Datasheet AOTF10B65M2 (Alpha & Omega) - 6
Производитель | Alpha & Omega |
Описание | 650V, 10A Alpha IGBT With Soft And Fast Recovery Anti-Parallel Diode |
Страниц / Страница | 9 / 6 — AOTF10B65M2. TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS. rgy. ne E. … |
Формат / Размер файла | PDF / 1.2 Мб |
Язык документа | английский |
AOTF10B65M2. TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS. rgy. ne E. Ene. hi c. itc. w S. I (A). R (. Figure 17: Switching Loss vs. I

40 предложений от 15 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — биполярные с изолированным затвором (IGBT) — одиночные |
| AOTF10B65M2
| от 21 ₽ | |
| AOTF10B65M2 Alpha & Omega | от 140 ₽ | |
| AOTF10B65M2
| 141 ₽ | |
| AOTF10B65M2
| от 160 ₽ | |
Модельный ряд для этого даташита
Текстовая версия документа
AOTF10B65M2
≤
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
1.5 1.5 Eoff Eoff Eon Eon 1.2 1.2
) ) J
Etotal
J
Etotal
(m (m y
0.9
rg
0.9
rgy ne E Ene ng
0.6
ng hI
0.6
hi c itc it w S Sw
0.3 0.3 0 0 5 8 11 14 17 20 0 50 100 150 200 250 300
I (A) C R (
W
) g Figure 17: Switching Loss vs. I Figure 18: Switching Loss vs. R C g (T =150°C, V =15V, V =400V, R =30
W
) (T =150°C, V =15V, V =400V, I =10A) j GE CE g j GE CE C
0.5 0.5 Eoff Eoff Eon Eon 0.4 0.4
) J
Etotal
J)
Etotal
(m (m y
0.3
rg
0.3
ergy ne n E E g ng
0.2
in hi
0.2
h itc itc w w S S
0.1 0.1 0 0 25 50 75 100 125 150 200 250 300 350 400 450 500
T (°C) J V (V) CE Figure 19: Switching Loss vs. Tj Figure 20: Switching Loss vs. VCE (V =15V, V =400V, I =10A, R =30
W
) GE CE C g (T =150°C, V =15V, I =10A, R =30
W
) j GE C g
Rev.2.0: February 2021
www.aosmd.com
Page 6 of 9