Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet FS8205A (Fortune Semiconductor) - 2

ПроизводительFortune Semiconductor
ОписаниеDual N-Channel Power MOSFET
Страниц / Страница6 / 2 — FS8205A FO. Fo P R. r R ro TU. ef pe NE. er rti. en s. y Fortune …
Формат / Размер файлаPDF / 775 Кб
Язык документаанглийский

FS8205A FO. Fo P R. r R ro TU. ef pe NE. er rti. en s. y Fortune Semiconductor Corporation. 富晶電子股份有限公司

FS8205A FO Fo P R r R ro TU ef pe NE er rti en s y Fortune Semiconductor Corporation 富晶電子股份有限公司

42 предложений от 18 поставщиков
МОП-Транзистор 20 В 6 А 19,5 м-при 4,5 В, 3 А 1,5 Вт 700 мВ при 250мкА 58 пФ при 10...
FS8205A
от 2.54 ₽
Элитан
Россия
FS8205A
6.84 ₽
Десси
Россия
Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ FS8205A
Fortune Semiconductor
26 ₽
Maybo
Весь мир
FS8205A
Infineon
по запросу
Применение интегрального датчика температуры DS18B20 в автоматизации жилых помещений

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

FS8205A FO
Fo P R
r R ro TU
ef pe NE
er rti

e
en s
ce
O
nl
y Fortune Semiconductor Corporation
富晶電子股份有限公司
23F, No. 29-5, Sec. 2, Zhongzheng E. Rd.,
Danshui Dist, New Taipei City 251, Taiwan
Tel.:886-2-28094742
Fax:886-2-28094874
www.ic-fortune.com This manual contains new product information. Fortune Semiconductor Corporation reserves the
rights to modify the product specification without further notice. No liability is assumed by Fortune
Semiconductor Corporation as a result of the use of this product. No rights under any patent
accompany the sale of the product Rev. 1.8 2/6
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка