Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet FS8205A (Fortune Semiconductor) - 3

ПроизводительFortune Semiconductor
ОписаниеDual N-Channel Power MOSFET
Страниц / Страница6 / 3
Формат / Размер файлаPDF / 775 Кб
Язык документаанглийский

Datasheet FS8205A Fortune Semiconductor Страница 3

42 предложений от 18 поставщиков
МОП-Транзистор 20 В 6 А 19,5 м-при 4,5 В, 3 А 1,5 Вт 700 мВ при 250мкА 58 пФ при 10...
FS8205Aот 2.54 ₽
FS8205A TECH PUB SOT23-6от 2.82 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
FS8205Aпо запросу
Augswan
Весь мир
FS8205A/GCпо запросу
Применение интегрального датчика температуры DS18B20 в автоматизации жилых помещений

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

FS8205A 1. Features 1.1 Low on-resistance 1.1.1 RDS(ON) = 28 mΩ MAX. (VGS = 4.5V, ID = 4A) 1.1.2 RDS(ON) = 37 mΩ MAX. (VGS = 2.5V, ID = 3A) 2. Applications
Li-ion battery management applications FO
Fo P R
r R ro TU
ef pe NE
er rti

e
en s
ce
O
nl
y 3. Ordering Information Product Number Description Package Type Quantity/Reel FS8205A TSSOP8 package version TSSOP-8 4,000 4. Pin Assignment FS8205A
ABCCC A:A~Z or A ~ Z
B:A~Z or A ~ Z
C:A~Z or A ~ Z or 0~9
ABCCC : Lot no information 5. Absolute Maximum Ratings
Symbol Parameter Rating Units VDS Drain-Source Voltage 20 V VGS Gate-Source Voltage ±12 V ID @TA = 25℃ Continuous Drain Current3 6 A ID @TA = 70℃ Continuous Drain Current3 5 A IDM Pulsed Drain Current1 25 A PD @TA = 25℃ Total Power Dissipation 1 W Linear Derating Factor 0.008 W/℃ TSTG Storage Temperature Range -55 to 150 ℃ TJ Operating Junction Temperature Range -55 to 150 ℃ Rev. 1.8 3/6
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка