Источники питания KEEN SIDE

Datasheet FS8205A (Fortune Semiconductor) - 4

ПроизводительFortune Semiconductor
ОписаниеDual N-Channel Power MOSFET
Страниц / Страница6 / 4 — FS8205A 6. Thermal Data. Symbol Parameter Rthj-a 7. Value Thermal …
Формат / Размер файлаPDF / 775 Кб
Язык документаанглийский

FS8205A 6. Thermal Data. Symbol Parameter Rthj-a 7. Value Thermal Resistance Junction-ambient3 Max. Unit

FS8205A 6 Thermal Data Symbol Parameter Rthj-a 7 Value Thermal Resistance Junction-ambient3 Max Unit

42 предложений от 18 поставщиков
МОП-Транзистор 20 В 6 А 19,5 м-при 4,5 В, 3 А 1,5 Вт 700 мВ при 250мкА 58 пФ при 10...
ЗУМ-СМД
Россия
8205A (FS8205A) (UT8205AL-P08-R) (FL8205A)
Hottech
0.41 ₽
ICdarom.ru
Россия
FS8205A TECH PUB SOT23-6
от 2.82 ₽
Элрус
Россия
FS8205A
от 2.82 ₽
727GS
Весь мир
FS8205A
по запросу
Применение интегрального датчика температуры DS18B20 в автоматизации жилых помещений

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

FS8205A 6. Thermal Data
Symbol Parameter Rthj-a 7. Value Thermal Resistance Junction-ambient3 Max. Unit
℃/W 125 Electrical Characteristics Electrical Characteristics @Tj = 25℃ ( unless otherwise specified )
Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Units FO
Fo P R
r R ro TU
ef pe NE
er rti

e
en s
ce
O
nl
y Static Characteristics
BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS = 0V, ID = 250uA 20 -V ΔBVDSS/ΔTj Breakdown Voltage Temperature Coefficient Reference to 25℃, ID=1mA -0.1 -V/℃ VGS = 4.5V, ID = 4A -23 28 mΩ VGS = 2.5V, ID = 3A -30 37 mΩ Gate Threshold Voltage VDS = VGS, ID = 250uA 0.45 -1.2 V Drain-Source Leakage Current (Tj = 25℃) VDS =16V, VGS = 0V -1 uA Drain-Source Leakage Current (Tj = 70℃) VDS =16V, VGS = 0V -25 uA Gate-Source Leakage VGS = ±10V -±0.1 uA Min.
-Typ.
-Max.
0.83
1.2 Units
A
V 2 RDS(ON) Static Drain-Source On-Resistance VGS(th)
IDSS IGSS 8. Source-Drain Diode Symbol
IS
VSD Parameter Continuous Source Current (Body Diode) Forward On Voltage 2 Test Conditions
VD = VG = 0V, VS = 1.2V
Tj = 25℃, IS = 1.25A, VGS = 0V Notes: 1. Pulse width limited by Max. junction temperature.
2. Pulse width ≦ 300us, duty cycle ≦ 2%.
3. Surface mounted on 1 in2 copper pad of FR4 board;208℃/W when mounted on Min. copper
pad. Rev. 1.8 4/6
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка