Datasheet FS8205A (Fortune Semiconductor) - 6

Производитель	Fortune Semiconductor
Описание	Dual N-Channel Power MOSFET
Страниц / Страница	6 / 6 — FS8205A FO. Fo P R. r R ro TU. ef pe NE. er rti. en s. y 10. Package …
Формат / Размер файла	PDF / 775 Кб
Язык документа	английский

FS8205A FO. Fo P R. r R ro TU. ef pe NE. er rti. en s. y 10. Package Information 11. Revision History. Version Date Page 1.0

1 2 3 4 5

Купить FS8205A на РадиоЛоцман.Цены — от 2.25 до 30 ₽ 32 предложений от 17 поставщиков МОП-Транзистор 20 В 6 А 19,5 м-при 4,5 В, 3 А 1,5 Вт 700 мВ при 250мкА 58 пФ при 10...
DIP8.RU Россия и страны ТС	FS8205A	от 3.86 ₽
Десси Россия	Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ FS8205A Fortune Semiconductor	26 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	FS8205A	по запросу
Maybo Весь мир	FS8205A Infineon	по запросу

Популярные АЦП с низкой разрешающей способностью

Модельный ряд для этого даташита

FS8205A

Текстовая версия документа

FS8205A FO
Fo P R
r R ro TU
ef pe NE
er rti
’
e
en s
ce
O
nl
y 10. Package Information 11. Revision History
Version Date Page 1.0
1.1 2009/02/10
2009/04/28 3~4 1.2 2009/08/04 3~4 1.3
1.4
1.5 2010/06/02
2010/06/10
2011/04/27 3~4
4
4 1.6
1.7
1.8 2014/05/22
2016/08/22
2025/05/09 2
3
3 Rev. 1.8 Description Version 1.0 released
Rds25 TYP 25mohm MAX 32mohm
Rds45 TYP 20mohm MAX 25mohm
ID @TA = 25℃
6A
ID @TA = 70℃
5A
ID pulse 300μS 25A
Rds25 TYP 27mohm MAX 35mohm
Rds45 TYP 21mohm MAX 25mohm
Rds25 ID：3A
Rds45 ID：4A
Rds45 TYP 22mohm MAX 27mohm
IDSS Test Conditions：VDS=16V VGS=0V Rds25 TYP：30mohm MAX：37mohm
Rds45 TYP：23mohm MAX：28mohm
VGS(th) MIN：0.45V MAX：1.2V
IGSS MAX：±0.1uA Revised company address
Revise Package Marking Information
Modified Quantity/Reel from 3000 to 4000 6/6

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring