Контрактное производство электроники. Полный цикл работ
НовостиСтатьиБиблиоСхемыDatasheetsСайтыПриборыЦеныФорум
Еще
Новости Статьи Библио Datasheets Сайты Приборы
Подписка на обновления Журнал «РадиоЛоцман»Авторы
Datasheet.ruОбъявления
О РадиоЛоцманеАвторамВакансии Сотрудничество Реклама Контакты
en - English de - Deutsch es - Espanol zh - 中文
РадиоЛоцман - Все об электронике
DatasheetsDatasheet IGB03N120H2 (Infineon)

Datasheet IGB03N120H2 (Infineon) - 10

ПроизводительInfineon
ОписаниеHighSpeed 2-Technology for 1200V in PG-TO263-3-2 Package
Страниц / Страница12 / 10 — IGB03N120H2. PG-TO263-3-2. Power. Semiconductors. 10. Rev. 2.4. Oct. 07
Формат / Размер файлаPDF / 1.2 Мб
Язык документаанглийский

IGB03N120H2. PG-TO263-3-2. Power. Semiconductors. 10. Rev. 2.4. Oct. 07

IGB03N120H2 PG-TO263-3-2 Power Semiconductors 10 Rev 2.4 Oct 07

12 предложений от 12 поставщиков
Транзистор IGBT, INFINEON IGB03N120H2 IGBT Single Transistor, 3A, 2.8V, 62.5W, 1.2kV, TO-263, 3Pins
IGB03N120H2
Infineon		по запросу
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
IGB03N120H2ATMA1
Infineon		по запросу
727GS
Весь мир
IGB03N120H2ATMA1
Infineon		по запросу
Augswan
Весь мир
IGB03N120H2ATMA1
Infineon		по запросу
Выбираем оптимальный датчик влажности: обзор решений Winsen, HOPERF, Novosense и других компаний

Модельный ряд для этого даташита

IGB03N120H2

Текстовая версия документа

IGB03N120H2 PG-TO263-3-2 Power Semiconductors 10 Rev. 2.4 Oct. 07
Хотите получать уведомления о выходе новых материалов на сайте?
Подпишитесь на рассылку!
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка
Эффективные решения на базе SiC: новые возможности для российской электроники
ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка
Срезы
Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring