Источники питания KEEN SIDE

Datasheet SFH 320 (OSRAM) - 3

ПроизводительOSRAM
ОписаниеSilicon NPN Phototransistor in SMT Package
Страниц / Страница18 / 3 — link. to. page. 16. SFH. 320. Characteristics. T. =. 25. °C. A. …
Формат / Размер файлаPDF / 801 Кб
Язык документаанглийский

link. to. page. 16. SFH. 320. Characteristics. T. =. 25. °C. A. Parameter. Symbol. Values. Wavelength. of. max. sensitivity. λ. typ. 980. nm. S. max. Spectral. range. of

link to page 16 SFH 320 Characteristics T = 25 °C A Parameter Symbol Values Wavelength of max sensitivity λ typ 980 nm S max Spectral range of

6 предложений от 6 поставщиков
NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLEDa-Gehause Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLEDa-Package
LifeElectronics
Россия
SFH320-3-Z
Siemens
по запросу
SFH320-3_Z
Siemens
по запросу
SFH320-3-Z
Yageo
по запросу
Augswan
Весь мир
SFH320-3-Z
OSRAM
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

link to page 16 SFH 320 Characteristics T = 25 °C A Parameter Symbol Values Wavelength of max sensitivity λ typ. 980 nm S max Spectral range of sensitivity λ typ. 450 ... 1150 10% nm Dimensions of chip area L x W typ. 0.45 x 0.45 mm x mm Radiant sensitive area A typ. 0.038 mm² Half angle φ typ. 60 ° Photocurrent I typ. 650 µA PCE V = 5 V; Std. Light A; E = 1000 lx CE v Dark current I typ. 1 nA CE0 V = 20 V; E = 0 max. 50 nA CE Rise time t typ. 7 µs r I  = 1 mA; λ = 950 nm; V = 5 V; R  = 1 kΩ C CC L Fall time t typ. 7 µs f I  = 1 mA; λ = 950 nm; V = 5 V; R  = 1 kΩ C CC L Collector-emitter saturation voltage 2) V typ. 150 mV CEsat I = I  X 0.3; λ = 950 nm; E = 0.1 mW/cm² C PCE,min e Capacitance C typ. 5 pF CE V = 0 V; f = 1 MHz; E = 0 CE Thermal resistance junction ambient real R max. 450 K / W thJA 3 Version 1.7 | 2021-11-22
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка