Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet SFH 421 (OSRAM) - 3

ПроизводительOSRAM
ОписаниеGaAlAs Infrared Emitter in SMT Package
Страниц / Страница7 / 3 — SFH 421, SFH 426. Kennwerte. Characteristics. Bezeichnung. Symbol. Wert. …
Формат / Размер файлаPDF / 88 Кб
Язык документаанглийский

SFH 421, SFH 426. Kennwerte. Characteristics. Bezeichnung. Symbol. Wert. Einheit. Parameter. Value. Unit

SFH 421, SFH 426 Kennwerte Characteristics Bezeichnung Symbol Wert Einheit Parameter Value Unit

15 предложений от 15 поставщиков
Основной светодиод, OSRAM SFH421-Z Infrared Emitter, 60°, LCC, 100mA, 1.5V, 500ns, 500ns
TradeElectronics
Россия
SFH421-ZIL
Siemens
по запросу
SFH421-P2Q1-KUNDO
Siemens
по запросу
SFH421-PE9556-Z
Siemens
по запросу
МосЧип
Россия
SFH421(880NM)60180MW
Siemens
по запросу
Инновационные элементы питания GP: зарядись энергией в КОМПЭЛ!

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

SFH 421, SFH 426 Kennwerte
(T = 25 °C) A
Characteristics Bezeichnung Symbol Wert Einheit Parameter Symbol Value Unit
Wellenlänge der Strahlung λ 880 nm peak Wavelength at peak emission I = 100 mA, t = 20 ms F p Spektrale Bandbreite bei 50% von I ∆λ 80 nm max Spectral bandwidth at 50% of Imax I = 100 m A F Abstrahlwinkel ϕ ± 60 Grad Half angle deg. Aktive Chipfläche A 0.09 mm2 Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche L × B 0.3 × 0.3 mm Dimensions of the active chip area L × W Schaltzeiten, I von 10% auf 90% und von 90% t , t 0.5 µs e r f auf 10%, bei I = 100 mA, R = 50 Ω F L Switching times, Ι from 10% to 90% and from e 90% to 10%, I = 100 mA, R = 50 Ω F L Kapazität, C 15 pF o Capacitance V = 0 V, f = 1 MHz R Durchlaßspannung, Forward voltage I = 100 mA, t = 20 ms V 1.5 (≤ 1.8) V F p F I = 1 A, t = 100 µs V 3.0 (≤ 3.8) V F p F Sperrstrom, I 0.01 (≤ 1) µA R Reverse current V = 5 V R Gesamtstrahlungsfluß, Φ 23 mW e Total radiant flux I = 100 mA, t = 20 ms F p Temperaturkoeffizient von I bzw. Φ , TC – 0.5 %/K e e I I = 100 mA F Temperature coefficient of I or Φ , I = 100 mA e e F Temperaturkoeffizient von V , I = 100 mA TC – 2 mV/K F F V Temperature coefficient of V , I = 100 mA F F Temperaturkoeffizient von λ, I = 100 mA TC F λ + 0.25 nm/K Temperature coefficient of λ, I = 100 mA F 2002-03-14 3
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка