SFH 421, SFH 426Kennwerte (T = 25 °C) A CharacteristicsBezeichnungSymbolWertEinheitParameterSymbolValueUnit Wellenlänge der Strahlung λ 880 nm peak Wavelength at peak emission I = 100 mA, t = 20 ms F p Spektrale Bandbreite bei 50% von I ∆λ 80 nm max Spectral bandwidth at 50% of Imax I = 100 m A F Abstrahlwinkel ϕ ± 60 Grad Half angle deg. Aktive Chipfläche A 0.09 mm2 Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche L × B 0.3 × 0.3 mm Dimensions of the active chip area L × W Schaltzeiten, I von 10% auf 90% und von 90% t , t 0.5 µs e r f auf 10%, bei I = 100 mA, R = 50 Ω F L Switching times, Ι from 10% to 90% and from e 90% to 10%, I = 100 mA, R = 50 Ω F L Kapazität, C 15 pF o Capacitance V = 0 V, f = 1 MHz R Durchlaßspannung, Forward voltage I = 100 mA, t = 20 ms V 1.5 (≤ 1.8) V F p F I = 1 A, t = 100 µs V 3.0 (≤ 3.8) V F p F Sperrstrom, I 0.01 (≤ 1) µA R Reverse current V = 5 V R Gesamtstrahlungsfluß, Φ 23 mW e Total radiant flux I = 100 mA, t = 20 ms F p Temperaturkoeffizient von I bzw. Φ , TC – 0.5 %/K e e I I = 100 mA F Temperature coefficient of I or Φ , I = 100 mA e e F Temperaturkoeffizient von V , I = 100 mA TC – 2 mV/K F F V Temperature coefficient of V , I = 100 mA F F Temperaturkoeffizient von λ, I = 100 mA TC F λ + 0.25 nm/K Temperature coefficient of λ, I = 100 mA F 2002-03-14 3