Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet FGD3050G2V (ON Semiconductor) - 3

ПроизводительON Semiconductor
ОписаниеIgnition IGBT, 500V, 27A, 1.3V, 300mJ, DPAK EcoSPARK II, N-Channel Ignition
Страниц / Страница9 / 3 — FGD3050G2V. TYPICAL CHARACTERISTICS. Figure 1. Self Clamped Inductive …
Формат / Размер файлаPDF / 602 Кб
Язык документаанглийский

FGD3050G2V. TYPICAL CHARACTERISTICS. Figure 1. Self Clamped Inductive Switching. Figure 2. Self Clamped Inductive Switching

FGD3050G2V TYPICAL CHARACTERISTICS Figure 1 Self Clamped Inductive Switching Figure 2 Self Clamped Inductive Switching

22 предложений от 9 поставщиков
Транзистор: IGBT 500V 27A DPAK-3
ChipWorker
Весь мир
FGD3050G2V
ON Semiconductor
36 ₽
FGD3050G2V
ON Semiconductor
от 193 ₽
Элитан
Россия
FGD3050G2V
ON Semiconductor
194 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
FGD3050G2V
ON Semiconductor
по запросу
Применение интегрального датчика температуры DS18B20 в автоматизации жилых помещений

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

FGD3050G2V TYPICAL CHARACTERISTICS Figure 1. Self Clamped Inductive Switching Figure 2. Self Clamped Inductive Switching Current vs. Time in Clamp Current vs. Inductance Figure 3. Collector to Emitter On−State Figure 4. Collector to Emitter On−State Voltage vs. Junction Temperature Voltage vs. Junction Temperature Figure 5. Collector to Emitter On−State Figure 6. Collector to Emitter On−State Voltage vs. Collector Current Voltage vs. Collector Current www.onsemi.com 3
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка