Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet FGD3050G2V (ON Semiconductor) - 4

ПроизводительON Semiconductor
ОписаниеIgnition IGBT, 500V, 27A, 1.3V, 300mJ, DPAK EcoSPARK II, N-Channel Ignition
Страниц / Страница9 / 4 — FGD3050G2V. TYPICAL CHARACTERISTICS. Figure 7. Collector to Emitter …
Формат / Размер файлаPDF / 602 Кб
Язык документаанглийский

FGD3050G2V. TYPICAL CHARACTERISTICS. Figure 7. Collector to Emitter On−State Voltage vs. Figure 8. Transfer Characteristics

FGD3050G2V TYPICAL CHARACTERISTICS Figure 7 Collector to Emitter On−State Voltage vs Figure 8 Transfer Characteristics

22 предложений от 9 поставщиков
Транзистор: IGBT 500V 27A DPAK-3
Lixinc Electronics
Весь мир
FGD3050G2V
79 ₽
AiPCBA
Весь мир
FGD3050G2V
ON Semiconductor
91 ₽
AllElco Electronics
Весь мир
FGD3050G2V
ON Semiconductor
от 97 ₽
FGD3050G2V
ON Semiconductor
от 193 ₽
Применение интегрального датчика температуры DS18B20 в автоматизации жилых помещений

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

FGD3050G2V TYPICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Figure 7. Collector to Emitter On−State Voltage vs. Figure 8. Transfer Characteristics Collector Current Figure 9. DC Collector Current vs. Case Figure 10. Gate Charge Temperature Figure 11. Threshold Voltage vs. Junction Figure 12. Leakage Current vs. Junction Temperature Temperature Temperature www.onsemi.com 4
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка