Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet FGD3050G2V (ON Semiconductor) - 5

ПроизводительON Semiconductor
ОписаниеIgnition IGBT, 500V, 27A, 1.3V, 300mJ, DPAK EcoSPARK II, N-Channel Ignition
Страниц / Страница9 / 5 — FGD3050G2V. TYPICAL CHARACTERISTICS. Figure 13. Switching Time vs. …
Формат / Размер файлаPDF / 602 Кб
Язык документаанглийский

FGD3050G2V. TYPICAL CHARACTERISTICS. Figure 13. Switching Time vs. Junction. Figure 14. Capacitance vs. Collector to

FGD3050G2V TYPICAL CHARACTERISTICS Figure 13 Switching Time vs Junction Figure 14 Capacitance vs Collector to

22 предложений от 9 поставщиков
Транзистор: IGBT 500V 27A DPAK-3
FGD3050G2V
ON Semiconductor
от 193 ₽
Зенер
Россия и страны ТС
FGD3050G2V
от 204 ₽
Эиком
Россия
FGD3050G2V
ON Semiconductor
от 216 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
FGD3050G2V
ON Semiconductor
по запросу
Применение интегрального датчика температуры DS18B20 в автоматизации жилых помещений

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

FGD3050G2V TYPICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Figure 13. Switching Time vs. Junction Figure 14. Capacitance vs. Collector to Temperature Emitter Voltage Figure 15. Break down Voltage vs. Series Resistance Figure 16. IGBT Normalized Transient Thermal Impedance, Junction to Case www.onsemi.com 5
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка