Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet PMV65XPEA (Nexperia) - 7

ПроизводительNexperia
Описание20 V, P-channel Trench MOSFET
Страниц / Страница16 / 7 — Nexperia. PMV65XPEA. 20 V, P-channel Trench MOSFET. 10. Characteristics. …
Версия04201705
Формат / Размер файлаPDF / 722 Кб
Язык документаанглийский

Nexperia. PMV65XPEA. 20 V, P-channel Trench MOSFET. 10. Characteristics. Table 7. Characteristics. Symbol. Parameter. Conditions. Min. Typ

Nexperia PMV65XPEA 20 V, P-channel Trench MOSFET 10 Characteristics Table 7 Characteristics Symbol Parameter Conditions Min Typ

30 предложений от 13 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
AllElco Electronics
Весь мир
PMV65XPEAR
Nexperia
от 3.65 ₽
AiPCBA
Весь мир
PMV65XPEAR
TE Connectivity
4.02 ₽
Элитан
Россия
PMV65XPEAR
NXP
18 ₽
Эиком
Россия
PMV65XPEAR
Nexperia
от 31 ₽
АЦП азиатских производителей. Часть 3. Многоканальные АЦП с синхронной выборкой

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

Nexperia PMV65XPEA 20 V, P-channel Trench MOSFET 10. Characteristics Table 7. Characteristics Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit Static characteristics
V(BR)DSS drain-source ID = -250 µA; VGS = 0 V; Tj = 25 °C -20 - - V breakdown voltage VGSth gate-source threshold ID = -250 µA; VDS = VGS; Tj = 25 °C -0.75 -1 -1.25 V voltage IDSS drain leakage current VDS = -20 V; VGS = 0 V; Tj = 25 °C - - -1 µA IGSS gate leakage current VGS = 12 V; VDS = 0 V; Tj = 25 °C - - 10 µA VGS = -12 V; VDS = 0 V; Tj = 25 °C - - -10 µA VGS = 4.5 V; VDS = 0 V; Tj = 25 °C - - 2 µA VGS = -4.5 V; VDS = 0 V; Tj = 25 °C - - -2 µA RDSon drain-source on-state VGS = -4.5 V; ID = -2.8 A; Tj = 25 °C - 67 78 mΩ resistance VGS = -4.5 V; ID = -2.8 A; Tj = 150 °C - 98 114 mΩ VGS = -2.5 V; ID = -2.2 A; Tj = 25 °C - 99 125 mΩ gfs forward VDS = -10 V; ID = -2 A; Tj = 25 °C - 7.4 - S transconductance RG gate resistance f = 1 MHz - 11.6 - Ω
Dynamic characteristics
QG(tot) total gate charge VDS = -10 V; ID = -2.8 A; VGS = -4.5 V; - 5 9 nC Q T GS gate-source charge j = 25 °C - 1.1 - nC QGD gate-drain charge - 1.1 - nC Ciss input capacitance VDS = -10 V; f = 1 MHz; VGS = 0 V; - 618 - pF C T oss output capacitance j = 25 °C - 80 - pF Crss reverse transfer - 58 - pF capacitance td(on) turn-on delay time VDS = -10 V; ID = -2.8 A; VGS = -4.5 V; - 7 - ns t R r rise time G(ext) = 6 Ω; Tj = 25 °C - 19 - ns td(off) turn-off delay time - 36 - ns tf fall time - 17 - ns
Source-drain diode
VSD source-drain voltage IS = -0.85 A; VGS = 0 V; Tj = 25 °C - -0.75 -1.2 V PMV65XPEA All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © Nexperia B.V. 2017. All rights reserved
Product data sheet 27 November 2014 7 / 16
Document Outline 1. General description 2. Features and benefits 3. Applications 4. Quick reference data 5. Pinning information 6. Ordering information 7. Marking 8. Limiting values 9. Thermal characteristics 10. Characteristics 11. Test information 12. Package outline 13. Soldering 14. Revision history 15. Legal information
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка