Datasheet IRGPS60B120KDP (Infineon) - 4

Производитель	Infineon
Описание	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) with Ultrafast Soft Recovery Diode in TO-274AA package
Страниц / Страница	12 / 4 — Fig. 5. Fig. 6. Fig. 7. Fig. 8
Формат / Размер файла	PDF / 142 Кб
Язык документа	английский

Fig. 5. Fig. 6. Fig. 7. Fig. 8

...

Купить IRGPS60B120KDP на РадиоЛоцман.Цены — от 916 до 2 200 ₽ 18 предложений от 16 поставщиков IGBT NPT 1200 V 105 A 595 W Through Hole SUPER-247^TM (TO-274AA)
AiPCBA Весь мир	IRGPS60B120KDP Infineon	1 228 ₽
PL-1 Россия	IRGPS60B120KDP	от 1 627 ₽
AllElco Electronics Весь мир	IRGPS60B120KDP Infineon	по запросу
Maybo Весь мир	IRGPS60B120KDP Infineon	по запросу

Популярные АЦП с низкой разрешающей способностью

Модельный ряд для этого даташита

IRGPS60B120KDP

Текстовая версия документа

IRGPS60B120KDP 120 120 V V GE = 18V GE = 18V 100 100 VGE = 15V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 10V 80 80 VGE = 8.0V VGE = 8.0V ) A A ( 60 60 E E I C I C 40 40 20 20 0 0 0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 4 5 V V CE (V) CE (V)
Fig. 5
- Typ. IGBT Output Characteristics
Fig. 6
- Typ. IGBT Output Characteristics T T J = -40°C; tp = 80µs J = 25°C; tp = 80µs 120 120 VGE = 18V -40°C 100 VGE = 15V 100 25°C VGE = 12V 125°C VGE = 10V 80 80 VGE = 8.0V ) A ) ( A 60 ( E 60 I C I F 40 40 20 20 0 0 0 1 2 3 4 5 0 1 2 3 VCE (V) VF (V)
Fig. 7
- Typ. IGBT Output Characteristics
Fig. 8
- Typ. Diode Forward Characteristics T tp = 80µs J = 125°C; tp = 80µs 4 www.irf.com

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring