Datasheet IRGPS60B120KDP (Infineon) - 7

Производитель	Infineon
Описание	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) with Ultrafast Soft Recovery Diode in TO-274AA package
Страниц / Страница	12 / 7 — Fig. 17. Fig. 18. Fig. 19. Fig. 20
Формат / Размер файла	PDF / 142 Кб
Язык документа	английский

Fig. 17. Fig. 18. Fig. 19. Fig. 20

...

8 9 10

...

8 9 10

Купить IRGPS60B120KDP на РадиоЛоцман.Цены — от 928 до 2 200 ₽ 18 предложений от 16 поставщиков IGBT NPT 1200 V 105 A 595 W Through Hole SUPER-247^TM (TO-274AA)
AiPCBA Весь мир	IRGPS60B120KDP Infineon	1 244 ₽
Кремний Россия и страны СНГ	IRGPS60B120KDP Infineon	1 703 ₽
Hi-Tech Circuit Group Весь мир	IRGPS60B120KDP Infineon	по запросу
Augswan Весь мир	IRGPS60B120KDP Infineon	по запросу

Популярные АЦП с низкой разрешающей способностью

Модельный ряд для этого даташита

IRGPS60B120KDP

Текстовая версия документа

IRGPS60B120KDP 70 60 RG = 4.7Ω 60 50 50 40 ) 40 R ) A G =22 Ω A ( 30 R R I R 30 I R RG =47 Ω 20 20 RG =100 Ω 10 10 0 0 0 20 40 60 80 100 0 50 100 150 I R F (A) G (Ω)
Fig. 17
- Typical Diode IRR vs. IF
Fig. 18
- Typical Diode IRR vs. RG TJ = 125°C TJ = 125°C; IF = 60A 60 12 4.7 R Ω G = 4.7Ω 11 90A 50 10 22Ω 60A 47 Ω 9 40 R ) G =22 Ω 8 C ) µ A ( 7 30 R R R 100Ω I R RG =47 Ω Q 6 30A 20 5 RG =100 Ω 4 10 3 2 0 0 500 1000 1500 0 500 1000 1500 diF /dt (A/µs) diF /dt (A/µs)
Fig. 19
- Typical Diode I
Fig. 20
- Typical Diode Q RR vs. diF/dt RR V V CC= 600V; VGE= 15V; CC= 600V; VGE= 15V;TJ = 125°C ICE= 60A; TJ = 125°C www.irf.com 7

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring