Datasheet IRGPS60B120KDP (Infineon) - 8

Производитель	Infineon
Описание	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) with Ultrafast Soft Recovery Diode in TO-274AA package
Страниц / Страница	12 / 8 — Fig. 21. Fig. 22. Fig. 23
Формат / Размер файла	PDF / 142 Кб
Язык документа	английский

Fig. 21. Fig. 22. Fig. 23

1 2

...

9 10

1 2

...

9 10

Купить IRGPS60B120KDP на РадиоЛоцман.Цены — от 916 до 2 200 ₽ 18 предложений от 16 поставщиков IGBT NPT 1200 V 105 A 595 W Through Hole SUPER-247^TM (TO-274AA)
AiPCBA Весь мир	IRGPS60B120KDP Infineon	1 228 ₽
Lixinc Electronics Весь мир	IRGPS60B120KDP	по запросу
SUV System Весь мир	IRGPS60B120KDP	по запросу
Augswan Весь мир	IRGPS60B120KDP Infineon	по запросу

Популярные АЦП с низкой разрешающей способностью

Модельный ряд для этого даташита

IRGPS60B120KDP

Текстовая версия документа

IRGPS60B120KDP 4000 3500 3000 4.7Ω ) 2500 J µ( 22Ω y 2000 gr 47Ω e n E 1500 100Ω 1000 500 0 0 20 40 60 80 100 IF (A)
Fig. 21
- Typical Diode ERR vs. IF TJ = 125°C 10000 16 Cies 14 600V 12 800V ) 1000 F p 10 ( ) e V c Coes ( n E 8 ati G c V a p Cres 6 a 100 C 4 2 0 10 0 50 100 150 200 250 300 350 400 0 20 40 60 80 100 Q V G , Total Gate Charge (nC) CE (V)
Fig. 22
- Typ. Capacitance vs. V
Fig. 23
- Typical Gate Charge CE vs. VGE V I GE= 0V; f = 1MHz CE = 60A; L = 600µH 8 www.irf.com

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка

ЭИК. Электронные компоненты: скидки, кэшбек и бесплатная доставка

Срезы

Система мониторинга EClerk Wireless Monitoring