Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet Si7611DN (Vishay) - 5

ПроизводительVishay
ОписаниеP-Channel 40-V (D-S) MOSFET
Страниц / Страница13 / 5 — New Product. Si7611DN. TYPICAL CHARACTERISTICS. Current Derating*. Power, …
Формат / Размер файлаPDF / 579 Кб
Язык документаанглийский

New Product. Si7611DN. TYPICAL CHARACTERISTICS. Current Derating*. Power, Junction-to-Case. Power, Junction-to-Ambient

New Product Si7611DN TYPICAL CHARACTERISTICS Current Derating* Power, Junction-to-Case Power, Junction-to-Ambient

30 предложений от 14 поставщиков
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -18А; Idm: -20А; 25Вт
ChipWorker
Весь мир
SI7611DN-T1-GE3
Vishay
56 ₽
ЧипСити
Россия
SI7611DN-T1-GE3
Vishay
101 ₽
SI7611DN-T1-GE3
Vishay
от 156 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI7611DNT1GE3
5 643 ₽

Модельный ряд для этого даташита

Текстовая версия документа

New Product Si7611DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
25 °C, unless otherwise noted 36 27 (A) Package Limited rrent u C 18 Drain - I D 9 0 0 25 50 75 100 125 150 TC - Case Temperature (°C)
Current Derating*
50 2.0 40 1.5 ) 30 (W (W er er 1.0 w w Po 20 Po 0.5 10 0 0.0 0 25 50 75 100 125 150 0 25 50 75 100 125 150 TC - Case Temperature (°C) TA - Ambient Temperature (°C)
Power, Junction-to-Case Power, Junction-to-Ambient
* The power dissipation PD is based on TJ(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package limit. Document Number: 69939 www.vishay.com S-80895-Rev. B, 21-Apr-08 5
ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка