Интегральный цифровой датчик температуры промышленного применения с I2C интерфейсом управления и функцией компаратора в 8-ми выводном металлополимерном корпусе 4303.8-DНЗ К (SOIC-8) Интегральный температурный датчик К5306НТ04ВУ/К5306НТ04ВТ ...
Интегральный цифровой датчик температуры промышленного применения с I2C интерфейсом управления и функцией компаратора в 8-ти выводном металлополимерном корпусе 5241.8-1НЗ К (mDFN8) Интегральный температурный датчик К5306НТ04ВУ/К5306НТ04ВТ ...
Интегральный цифровой датчик температуры промышленного применения с SPI интерфейсом управления в 8-ми выводном металлополимерном корпусе 4303.8-DНЗ К (SOIC-8) Интегральный температурный датчик К5306НТ04АУ / К5306НТ04АТ предназначен для ...
Интегральный цифровой датчик температуры промышленного применения с SPI интерфейсом управления в 8-ти выводном металлополимерном корпусе 5241.8-1НЗ К (mDFN8) Интегральный температурный датчик К5306НТ04АУ / К5306НТ04АТ предназначен для ...
Интегральный цифровой датчик температуры промышленного применения с 1-Wire интерфейсом управления в 8-ми выводном металлополимерном корпусе 4303.8-DНЗ К (SOIC-8) Интегральный температурный датчик К5306НТ04П/К5306НТ04У/К5306НТ04Т предназначен для ...
Интегральный цифровой датчик температуры промышленного применения с 1-Wire интерфейсом управления в 8-ти выводном металлополимерном корпусе 5241.8-1НЗ К (mDFN8) Интегральный температурный датчик К5306НТ04П/К5306НТ04У/К5306НТ04Т предназначен для ...
Интегральный цифровой датчик температуры промышленного применения с 1-Wire интерфейсом управления в 3-х выводном металлополимерном корпусе 1112.3-A K (TO-92) Интегральный температурный датчик К5306НТ04П/К5306НТ04У/К5306НТ04Т предназначен для ...
Омниполярный магнитный датчик угла в корпусе LGA8L Омниполярный магнитный датчик угла LF53464 — это высокоточный магнитный датчик угла поворота от 0 до 360 градусов по осям X и Y с компенсацией теплового дрейфа, обеспечивающий высокую ...
Омниполярный магнитный датчик угла в корпусе LGA8L Омниполярный магнитный датчик угла LF53464 — это высокоточный магнитный датчик угла поворота от 0 до 360 градусов по осям X и Y с компенсацией теплового дрейфа, обеспечивающий высокую ...
Омниполярный магнитный датчик угла в корпусе TSSOP8 Омниполярный магнитный датчик угла LF53466 — это высокоточный магнитный датчик для измерения угла в диапазоне от 0 до 360 градусов по осям X и Y с компенсацией теплового дрейфа, обеспечивающий ...
Омниполярный магнитный датчик угла в корпусе TSSOP8 Омниполярный магнитный датчик угла LF53466 — это высокоточный магнитный датчик для измерения угла в диапазоне от 0 до 360 градусов по осям X и Y с компенсацией теплового дрейфа, обеспечивающий ...
20 В, одинарный P-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
20 В, одинарный P-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
20 В, одинарный P-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
20 В, одинарный P-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с P-каналом в малогабаритном пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
20 В, N-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с N-каналом в режиме улучшения характеристик в небольшом пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
20 В, N-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с N-каналом в режиме улучшения характеристик в небольшом пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
40 В, N-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с N-каналом в режиме улучшения характеристик в небольшом пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
40 В, N-канальный Trench MOSFET Полевой транзистор (FET) с N-каналом в режиме улучшения характеристик в небольшом пластиковом корпусе для поверхностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием технологии Trench MOSFET.
