P-Channel 1.8V PowerTrench MOSFET P-Channel 1.8V MOSFET производится по технологии Fairchild PowerTrench. Оптимизирован для приложений управления питанием от батареи.
Одиночный P-канальный PowerTrench MOSFET -30 В, -11 А, 14 мОм Этот МОП-транзистор P-канального логического уровня изготовлен с использованием передовой технологии PowerTrench, которая была специально разработана для минимизации сопротивления в ...
N-канальный полевой транзистор с обогащенным каналом и логическим уровнем управления Эти N-канальные полевые транзисторы с усилением логического уровня производятся с использованием запатентованной Fairchild технологии DMOS с высокой плотностью ...
N-канальный полевой транзистор с обогащенным каналом и логическим уровнем управления Эти N-канальные полевые транзисторы с усилением логического уровня производятся с использованием запатентованной Fairchild технологии DMOS с высокой плотностью ...
P-канал, POWERTRENCH, МОП-транзистор логического уровня Этот 60-вольтовый полевой МОП-транзистор с P-каналом использует высоковольтный процесс POWERTRENCH компании onsemi. Он был оптимизирован для приложений управления питанием.
P-канал PowerTrench МОП-транзистор, 30 В, -13 А, 9 мОм Этот P-Channel MOSFET был разработан специально для повышения общей эффективности преобразователей постоянного тока, использующих синхронные или обычные импульсные ШИМ-контроллеры, а также ...
N-канальный логический уровень PowerTrench MOSFET 30 В, 2,7 А, 46 мОм Этот N-канальный МОП-транзистор логического уровня производится с использованием усовершенствованного процесса PowerTrench, который был специально разработан для минимизации ...
30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs Specifications: P30N06LE Полярность транзистора: N Channel Continuous Drain Current Id: 30 А Drain Source Voltage Vds: 60 В On Resistance Rds(on): 47 МОм Rds(on) Test Voltage Vgs: ...
